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大阪府大、TSVに30秒で銅メッキ−穴径２μｍ×深さ１６μｍのシリコンに
(2016/12/22 05:00)
大阪府立大学微小めっき研究センターの近藤和夫教授は、半導体基板の３次元積層の配線技術となるシリコン貫通電極穴（ＴＳＶ）の穴埋めを、銅メッキによって３０秒で加工する技術を開発した。径２マイクロ×深さ１６マイクロメートル（マイクロは１００万分の１）の微細穴で実証した。半導体用のメッキ...
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(2016/12/22 05:00)
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