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[ 科学技術・大学 ]
(2017/1/19 05:00)
理化学研究所光量子工学研究領域理研SIOM連携ユニットの杉岡幸次ユニットリーダーらは、シリコン基板に直径7マイクロメートル(マイクロは100万分の1)で深さが100マイクロメートル以上の貫通穴を開ける技術を開発した。アスペクト比が15と、業界の開発目標の3倍の性能を確認した。3次元シリコン大規模集積回路の集積密度向上につながる。
パルス幅が数十から数百フェムト秒(フェムトは1000兆分の1)のレーザーを採用。円すい状のレンズと位相板を組み合わせ、ビーム径が広がらないベッセルビームの形にし、照射している。
ビーム中心ではなく、外側に広がってしまうエネルギーを0・6%に抑えた。
貫通穴の開発目標は直径10マイクロメートル以下でアスペクト比は5だったという。
(2017/1/19 05:00)