ＧａＮ組み込んだ実験用回路、ヘッドスプリングが６月に製品化

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  左が「ＧａＮ回路ブロック」。右はヘッドスプリングの従来品

ヘッドスプリング（東京都品川区、星野修社長、０３・５４９５・７９５７）は、窒化ガリウム（ＧａＮ）をあらかじめ組み込んだ実験用回路「ＧａＮ回路ブロック」を開発した。同ブロックを組み込むだけでＧａＮパワーデバイスを試用でき、ＧａＮを搭載した機器の開発スピードを向上できる。ＧａＮは回路を小型化できるが、組み込み技術が確立されていないという。６月の製品化を目指す。

ＧａＮを利用して回路を最適化すると、周辺部品が小さくなる。電力変換部分を小さくでき、機器の小型化に貢献する。また従来のシリコン製回路に比べ最大１００倍の高周波帯域において、高速スイッチングが可能。家電製品から産業用ロボットまで幅広い場面で活用が見込める。現在、性能を評価しながら仕様を検討しており、製品化を進めていく。

一方でＧａＮは回路に組み込む技術が確立されておらず、開発が進んでいないとされる。機器に組み込むだけで使える状態で提供し、試作・開発速度の向上につなげる。

ヘッドスプリングは設計の難しい炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いた次世代パワー半導体を活用し、この半導体を搭載した電力変換回路ブロックも販売する。蓄積したパワーデバイス製造技術を生かし次世代パワー半導体を普及し、ひいては省エネルギー・低炭素社会の実現に貢献する考えだ。