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新技術・新製品

東芝、電源電圧30%減の32ナノ世代対応LSIを試作

掲載日 2010年02月09日
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 東芝は8日、電源電圧を従来比30%減の0・7ボルトにする32ナノメートル世代プロセス対応のLSIを試作したと発表した。低電圧化の課題だったSRAMの動作不良を防ぐ新回路技術を開発し、SRAMの不良率を1万分の1に減らした。LSIの消費電力は電源電圧の2乗に比例するため、低電圧化で消費電力はほぼ半減できる見込み。ISSCCで10日に発表する。
 開発した回路技術は、SRAM内部の信号電位を最適に制御し、不良率を減らす手法。これで設計効率を大幅に改善した。
 メモリーセル当たりの素子数を増やして動作を安定させる既存の手法は、セル面積が増大するなど課題があった。
 動作アシスト技術と呼ばれるSRAMの性能を高める方式を導入し、負の電位を生成する動作を自動で決める仕組みを考案した。

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