新技術・新製品
東芝、電源電圧３０％減の３２ナノ世代対応ＬＳＩを試作
掲載日 2010年02月09日
東芝は８日、電源電圧を従来比３０％減の０・７ボルトにする３２ナノメートル世代プロセス対応のＬＳＩを試作したと発表した。低電圧化の課題だったＳＲＡＭの動作不良を防ぐ新回路技術を開発し、ＳＲＡＭの不良率を１万分の１に減らした。ＬＳＩの消費電力は電源電圧の２乗に比例するため、低電圧化で消費電力はほぼ半減できる見込み。ＩＳＳＣＣで１０日に発表する。
開発した回路技術は、ＳＲＡＭ内部の信号電位を最適に制御し、不良率を減らす手法。これで設計効率を大幅に改善した。
メモリーセル当たりの素子数を増やして動作を安定させる既存の手法は、セル面積が増大するなど課題があった。
動作アシスト技術と呼ばれるＳＲＡＭの性能を高める方式を導入し、負の電位を生成する動作を自動で決める仕組みを考案した。
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