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記事検索結果
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同製作所では、GaNをはじめとした化合物半導体の技術を培ってきた。高い周波数帯域を使う5GではGaN製が有利とされる。... 渡辺所長は「(GaN製と)GaAsとの共通設備が多い。
汎用性や拡張性を高め、従来機で難しかった半導体レーザーや、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの研究開発、少量生産用途などにも活用できる。
産業技術総合研究所の岸川諒子主任研究員と堀部雅弘研究グループ長と宇宙航空研究開発機構(JAXA)の川﨑繁男教授は、宇宙線ノイズに強い窒化ガリウム(GaN)を用いて高周波...
【極微量窒素検出】 SC―SEMは、既存のSEM―EDXでは困難な炭素化合物中の極微量窒素(500ppm以下)やp型GaN中のMg(100ppm程度)...
名古屋大学が次世代の半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)の研究体制を強化している。... 「世界初のGaNデバイスに特化したプロセスラインを築いた」(天野浩名大未来...
米トランスフォームは同社の高電圧GaN(窒化ガリウム)FET(電界効果トランジスタ)が、電源製品の台湾企業デルタ電子に採用されたと発表した。
例えば半導体分野では基板材料として新たに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などが増えつつあるが、それらの切断などでもダイヤモンド工具が活躍している。 ...
GaNはそのLEDの主な材料として使われている。... 「既にSiCや横型のGaNデバイスが実用化されつつある中、差別化のために電気を基板に対して縦に流す『縦型GaNパワー半導体』を開発中だ。GaNの...
名大が7月に開設した窒化ガリウム(GaN)の研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」などの有効利用などで産業振興につなげる。... 両大学はG...
豊田合成が、電力変換や入出力制御に使う窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の開発を急いでいる。... ■名大も実験施設 GaNを用いたデバイスの研究には名古屋大学も積極...
【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)と高エネルギー加速器研究機構は、窒化ガリウム(GaN)の結晶欠陥を非破壊で検出する技術を開発した。... 欠陥情報のフ...
【名古屋】ファインセラミックスセンター(JFCC)は、窒化ガリウム(GaN)ナノワイヤ(ナノは10億分の1)内部の不純物(ドーパント)分...
GaNでこれらが作れれば、これまでのシリコンや化合物半導体に比べ大幅な省エネルギーが実現できるという。同施設では基礎研究だけでなく、それを発展させたGaNデバイス実用化も視野に入れている。 &...
【名古屋】名古屋大学未来材料・システム研究所は24日、窒化ガリウム(GaN)の研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス実験施設(C―TEFs)」を完成、開所式を行った。...
そこでJAXAでは、BDRの小型軽量化のためにスイッチング周波数の高周波化を検討しており、窒化ガリウム電界効果トランジスタ(GaN-FET)を適用したメガヘルツスイッチング電源...
電動モビリティーの利用方法の実験と、窒化ガリウム(GaN)を活用した半導体デバイスの性能評価の実験を兼ねる。 ... GaNデバイスはモーター制御のトランジスタで性能...
赤色はガリウムヒ素(GaAs)系、緑色や青色は窒化ガリウム(GaN)系の基板材料を使用し、技術が大きく異なる。 ...
GaNは大電流に強く、電力消費量を抑えたり部品を小型化したりできる。... ロームが開発を進めている、150ボルトの低圧向けGaN製半導体について共同開発する。 ... 現在のGaN...
窒化ガリウム(GaN)の致命的な欠陥を特定し防止策を開発した。GaNのパワー半導体への応用を開く成果だ。 ノーベル賞を受賞したGaNの結晶成長技術は2000回の失敗の...
