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ソーラーCに搭載する太陽が放射する紫外線(UV)と波長の短い極端紫外線(EUV)を測定する装置の開発に携わる。
その後もフォトマスクブランクス、フッ化アルゴン(ArF)レジスト、多層膜材料、極端紫外線(EUV)レジストなどを手がけた。
資金は前工程では北海道千歳市でのラピダスの生産拠点の建設や、極端紫外線(EUV)露光装置といった設備導入などを進める。
レジストポリマーは25年度めどに極端紫外線(EUV)で微細な露光対応での需要拡大を念頭に、材料も変わるとみて研究開発を積極化する。
大日本印刷(DNP)は27日、極端紫外線(EUV)リソグラフィーに対応した2ナノメートル(ナノは10億分の1)世代のロジック半導体向けフォトマスク...
特にEUV(極端紫外線)などの先端材料が中心になるが、既存のKrfやArfも車載用途で需要が高まっているので積極的に増強していく」 ―石化再編の機運や脱炭素対応の重要...
同結晶は紫外レーザーの波長変換素子として、今や次世代半導体の製造に用いる極端紫外線(EUV)露光の前工程と後工程に必須の素材だ。
以前から高付加価値市場でシェア100%を目指す「グローバルニッチトップ戦略」を掲げており、その独占的なポジションを揺るぎないものとするのが高輝度極端紫外線(EUV)プラズマ光源...
トッパンフォトマスク(東京都港区、二ノ宮照雄社長)は7日、米IBMと極端紫外線(EUV)リソグラフィーを使用した2ナノメートル(ナノは10億...
25年度には元の成長軌道に戻る」 ―極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの好調は継続しますか。
マイクロンを中心にさらなる成長を目指したい」 ―マイクロン・テクノロジーは国の補助金を活用して極端紫外線(EUV)技術を導入し、先端半導体を生産する計画です。 ...
米マイクロン・テクノロジーも広島工場で、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産を計画する。
レーザーテックは、自社開発の高輝度極端紫外線(EUV)プラズマ光源を標準搭載したEUV露光用マスクパターン欠陥検査装置「ACTIS A300」の受注を始めた...
競合と協力する必要も出てくるかもしれない」 ―極端紫外線(EUV)マスクの状況と今後の方針は。
深紫外線(DUV)や3次元実装への展開などで、シナジーが出てきている。... 極端紫外線(EUV)関連も、これからかなり期待する領域だ」 ―次世代EU...
リンテックは極端紫外線(EUV)露光装置向けに、フォトマスク(半導体回路の原版)の防塵カバー「ペリクル」を開発した。
