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記事検索結果
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一般的に、半導体ウエハー製造工程のトランジスタ形成までを前工程、配線工程以降を後工程と呼ぶ。
都倉教授らはCMOSトランジスタの「サブスレッショルド領域」で動作するNANDゲートに焦点を当て、計算の過程とそれに伴う散逸熱を解析。
1ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降で鍵となる相補型電界効果トランジスタ(CFET)を見すえた最先端の技術だ。 一方、近年は人工知能(...
「我々は低耐圧の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)で世界上位のシェアだが、電動化や電装化の影響でMOSFET全体の需要が10年で1・6倍になるとされる。
東北工業大学の柴田憲治教授は東京大学、東北大学などと共同で、半導体コロイド量子ドット1個を使った単一電子トランジスタを作製し、電気伝導の詳細な評価と制御を行った。... さらにゲート電極にシリコン基板...
量子計算機の性能向上に道 産業技術総合研究所新原理シリコンデバイス研究チームの岡博史主任研究員、森貴洋研究チーム長らは、トランジスタが低温で動作するメカニズムを解明した。... 集積...
ノーマリーオフはゲート電圧をかけなければトランジスタがオフ状態になる。... この方法ではゲート電圧をゼロにしても、トランジスタがオフ状態にならない。新技術のようにゲート電圧ゼロでトランジスタがオフに...
大阪公立大学の梁剣波准教授、重川直輝教授らは東北大学などと共同で、ダイヤモンドを基板に用いた窒化ガリウム(GaN)トランジスタを作製した。炭化ケイ素(SiC)基板上に作...
ロジック半導体などのトランジスタ構造は30年までに現在のフィンフェットからGAAナノシート、そしてシーフェットへと変わっていく。
次世代の縦型トランジスタやメモリー、量子ドット構造を内蔵した量子細線レーザーや量子構造太陽電池、量子ナノセンサーなどの高性能化につながる。
東北大学の佐藤昭准教授らは理化学研究所などと共同で、トランジスタの新動作原理であるプラズモンで、テラヘルツ波(テラは1兆)の検出感度を1ケタ以上高めた。... 研究チームはインジウムリ...
例えば、IBMの基礎研究所では、指の爪ほどの大きさに500億個のトランジスタを搭載した世界最先端のチップ開発に成功した。
住友電気工業は新しい結晶技術を使い、出力密度を従来比2倍に高めた窒化ガリウム製トランジスタ(HEMT)を開発した。
IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)だけでなく、モーターやインバーター、ギアを一体化したEV駆動装置「イーアクスル」などの検査も想定し、対象物の大きさ別に3タイプを展開する。...
最新のパソコンには1000億個以上のトランジスタが搭載され、「2060年ごろには、さらに現在の100万倍の機能が集積される」と若林教授は見通す。 若林教授は、かつて世界最小の5ナノメ...
三菱電機は同社の強みである化合物半導体技術などを適用した、SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)をネクスペリアへ開発・供給。
大電流・高電圧に強いパワー半導体のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)では14%に達する。
ヌーヴォニクスでは主に中華圏メーカーの電界効果トランジスタ(FET)などの部品を扱う。
