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ロータスアロイ(大阪市北区、中嶋英雄社長、06・6879・8436)は、ハイブリッド車(HV)などに搭載するパワー半導体素子を効率的に冷却するヒートシンクモジュール&#...

産業技術総合研究所は従来のシリコン材料では不可能な、16キロボルトの高電圧に耐える炭化ケイ素(SiC)パワー半導体トランジスタを開発した。... 先進パワーエレクトロニクス研究センター...

エネゲート(大阪市北区、多山洋文社長、06・6458・7301)とローム、関西電力は20日、内蔵するパワー半導体素子をすべて炭化ケイ素(SiC)製とした無停電電源装置&...

パワー半導体素子の駆動機能と保護機能を内蔵したICで、保護回路を内蔵することでスイッチング時に発生する電源電圧ノイズの影響を低減した。

インバーターのスイッチングに使うパワー半導体素子には炭化ケイ素(SiC)を採用。

熱源の発光ダイオード(LED)デバイス、パワー半導体素子と放熱器との間に用いる。

次世代ハイパワーレーダーでは電力損失を大幅に減らし、機器を小型化する必要がある。このためガリウム・ナイトライド・パワー半導体素子などの活用を研究する。同素子はシリコンなどに代わって高周波信号を扱う半導...

防衛省は25日、日本が誇る素材やパワー半導体、耐熱材料技術を生かし、戦闘機「F2」の国産後継機を2028年ごろまでに開発したいとする「将来戦闘機研究開発ビジョン」をまとめた。... さらに高電波吸収特...

無停電電源装置(UPS)や太陽光発電用パワーコンディショナーは、配電系統に接続するパワーエレクトロニクス。... 出力電圧の振幅があって、インバーター用パワー半導体素子のスイッチング損...

三菱電機もHVのモーターを制御する絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の最大手だが、2010年からパワー半導体素子にシリコンカーバイド(SiC)を使ったモジュ...

三菱電機は2010年からパワー半導体素子にシリコンカーバイド(SiC)を使ったモジュールを量産する。... 量産拠点はパワーデバイス製作所(福岡市西区)が有力。... ...

京都大学の木本恒暢教授、須田淳准教授、登尾正人研究員らは、炭化シリコン(SiC)横型の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を作製した。... 成果は米フ...

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