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記事検索結果
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三井化学は2025―30年に、半導体の製造工程で使われる次世代の極端紫外線(EUV)ペリクルを実用化する方針だ。... 得意とする半導体前工程のEUVペリクルだけで...
TOPPANとDNPは極端紫外線(EUV)マスクの量産体制構築を視野に、設備投資にも動き出している。
【横浜】レーザーテックは自社開発の高輝度極端紫外線(EUV)プラズマ光源を標準搭載したEUV露光用マスクパターン欠陥検査装置「ACTIS A300=...
当社も26年度以降に朝霞工場(埼玉県新座市)で極端紫外線(EUV)マスクの量産ライン設置を検討している」 ―フォトマスクでは世界8拠点を持ちます。&#...
半導体業界の需要は2024年度には回復するとみており、材料の出荷量も増えると考えている」 ―半導体分野では、レジストポリマーは最先端の極端紫外線(EUV)やフッ化アル...
一方、蘭ASMLとは極端紫外線(EUV)装置で現状2回露光しているのを1回に減らすため、前後の工程でどのような処理が必要かなどを共同で研究しており、良い結果が出始めている。
次世代半導体の量産を目指すラピダス(東京都千代田区、小池淳義社長)は、北海道千歳市に建設中の工場で微細加工に不可欠な極端紫外線(EUV)露光装置を2...
さらに同社が得意とする分光技術を応用して、ペリクルが破れる予兆を測定し歩留まり向上につなげる機能の開発も、最先端の極端紫外線(EUV)プロセス向けに進めている。
同社が製造する極端紫外線(EUV)露光装置は、最先端半導体の生産に欠かせず、数十人から100人程度の技術者が、ラピダス新工場の生産ラインの立ち上げや保守点検に協力する。 ...
レーザーテックは半導体向け極端紫外線(EUV)露光用パターン付きマスクの欠陥を高感度で検出できる高輝度EUVプラズマ光源「URASHIMA(ウラシマ)...
マイクロンが2025年12月―26年2月の出荷を目指している、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産に最大1670億円、同半導体を積層した先端DRA...
蘭ASMLのクリストフ・フーケ副社長は、ラピダスがパイロットラインを立ち上げる2025年までに極端紫外線(EUV)露光装置の導入準備を進めるほか、台湾積体電路製造(TSMC&#...
(中国の需要に対し)今後どのようなサプライチェーン(供給網)を組むかは検討中だ」 ―極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの...
実際にJSRは21年には極端紫外線(EUV)の露光効率を高める金属系レジストを製造する米インプリアを約450億円で買収。
電子回路の微細化に対応するため、リソグラフィーの露光波長の短波長化が進み、現在は波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)の極端紫外線(EUV)を使ったEUVリソグ...
ADEKAは千葉工場(千葉県市原市)でEUV(極端紫外線)フォトレジスト向け材料の生産設備を増設した。
最近実用化された露光機では、極端紫外線(EUV)と呼ばれる、極めて短い波長(13・5ナノメートル)の光を使い、原子数十個程度(数ナノメートル)のサイズの...
【広島】米マイクロン・テクノロジーは22日、日本と台湾で導入を計画するEUV(極端紫外線)技術に関連し、次世代のDRAM製品の生産開始時期について台湾で2025年、日本では26年とする...
