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記事検索結果
64件中、2ページ目 21〜40件を表示しています。 (検索にかかった時間：0.046秒)
東北大学電気通信研究所の大野英男教授、深見俊輔准教授らは、超高速動作が可能な新方式の磁気メモリー素子を開発した。... 近年、磁性体の磁化の向きで情報を記憶する磁気ランダムアクセスメモリー(M...
産業技術総合研究所は、次世代の不揮発性磁気メモリーである「スピントルク書込型磁気ランダムアクセスメモリー(STT―MRAM)」の記憶安定性を2倍に向上した。... 産総研スピントロニク...
大阪府立大学工学研究科の戸川欣彦准教授らの研究グループは、広島大学の井上克也教授、放送大学の岸根順一郎教授らと共同で、対掌性(キラリティー)を持つらせん状の結晶構造の磁石において、ひね...
産業技術総合研究所は10日、不揮発性メモリー(MRAM)の新しい書き込み手法である「電圧書き込み方式」の安定動作を実証したと発表した。... 薄い金属磁石層(記録層)を...
磁壁の枚数を制御すると磁場が段階的に変化するため、多値の磁気メモリーの開発につながるという。... 磁気メモリーが多段階の信号を扱えると、記録容量が飛躍的に増える。
理化学研究所は、約25度Cの室温以上でスキルミオン(渦状の磁気構造体)を生成する新物質を発見した。... スキルミオンを使った低消費電力の磁気メモリー素子などの実現につなげる。... ...
東京大学物性研究所の徳永将史准教授と大阪大学の赤木暢助教、産業技術総合研究所、福岡大学、上智大学、青山学院大学らのグループは、ビスマスフェライトが3値の不揮発性メモリーになり得る磁気特性を発見した。....
一分子の磁気方向を切り替える磁気メモリーの用途を想定。... 通常は原子同士の磁気が打ち消しあってしまい、分子としては磁性を持たない。磁気が打ち消しあわない相互作用を設計し、カゴ状分子を合成した。
具体的には高効率の熱電素子やハードディスクドライブ(HDD)に置き換わる超低電力消費型磁気メモリーの開発、世界初となるナノカーボン材料である単層グラフェンの電極作製に取り組む。
内田氏が当時発見したのは、熱で磁気の流れを作る新しい熱エネルギー変換現象「スピンゼーベック効果」。電流や磁界を使わず、磁石の両端に温度差をつけるだけで磁気の流れ「スピン流」を作り出すことに世界で初めて...
低消費電力で磁気の書き込みができ、磁気記録や不揮発性の固体磁気メモリーへの応用が見込める。... 開発技術を使えば、例えばトンネル磁気抵抗素子に流れる電流は0・1ミリアンぺア以下ですむ。
イオン間に働き磁気相互作用の制御をすることで高い磁気転移温度を有するという。 磁気転移温度が室温よりはるかに高いため、温度変化に対しても安定して動作できるデバイス作製も可能になる。ス...
日本原子力研究開発機構先端基礎研究センターの家田淳一副主任研究員らは米マイアミ大学のスチュワート・バーンズ教授らと共同で、ナノスケールの極薄磁石の磁気の向きを垂直にそろえる新しい原理を発見した。磁気メ...
鉄にホウ素を添加した磁石材料を超薄膜化し、酸化マグネシウムの絶縁層2層で挟み込んだ積層構造に電圧を加えることで生じる磁気異方性の変化量を、従来よりも約3倍高効率化した。不揮発性の固体磁気メモリーなどに...
磁気メモリーなどの「ピン層」と呼ぶ強磁性層の面積を現状の1万分の1にできる可能性があり、次世代スピントロニクスデバイスの微細化が期待できる。 ... きちんと並んだ原子の配置が崩れて...
この成果をもとに、待機時の消費電力ゼロで、メガバイト級(メガは100万)という高集積度の磁気メモリーをつくることができるという。
富士通、日立製作所、東芝、三菱電機など電機メーカー10社で構成する超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、次世代記憶素子であるスピン注入型不揮発性磁気メモリー(MRAM&#...
局所的な磁極の反転速度を大幅に向上できるため、磁気メモリーの書き込み動作の高速化、省エネルギー化につながりそうだ。 ... 磁気メモリーやハードディスクなど磁石を使った記録装置は、磁...
