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リンテックは極端紫外線(EUV)露光装置向けに、フォトマスク(半導体回路の原版)の防塵カバー「ペリクル」を開発した。... リンテックは半導体回路パ...
三井化学は2025―30年に、半導体の製造工程で使われる次世代の極端紫外線(EUV)ペリクルを実用化する方針だ。... 最先端のEUV露光機に対応したカーボンナノチ...
TOPPAN/次世代2ナノメートル、米IBMに供給 EUV露光に対応するEUVマスクは描画パターンが多く、描画時間を大幅に短縮できるマルチビーム描画装置での製造が主流。.....
【横浜】レーザーテックは自社開発の高輝度極端紫外線(EUV)プラズマ光源を標準搭載したEUV露光用マスクパターン欠陥検査装置「ACTIS A300=...
当社も26年度以降に朝霞工場(埼玉県新座市)で極端紫外線(EUV)マスクの量産ライン設置を検討している」 ―フォトマスクでは世界8拠点を持ちます。&#...
半導体業界の需要は2024年度には回復するとみており、材料の出荷量も増えると考えている」 ―半導体分野では、レジストポリマーは最先端の極端紫外線(EUV)やフッ化アル...
一方、蘭ASMLとは極端紫外線(EUV)装置で現状2回露光しているのを1回に減らすため、前後の工程でどのような処理が必要かなどを共同で研究しており、良い結果が出始めている。
次世代半導体の量産を目指すラピダス(東京都千代田区、小池淳義社長)は、北海道千歳市に建設中の工場で微細加工に不可欠な極端紫外線(EUV)露光装置を2...
さらに同社が得意とする分光技術を応用して、ペリクルが破れる予兆を測定し歩留まり向上につなげる機能の開発も、最先端の極端紫外線(EUV)プロセス向けに進めている。
同社が製造する極端紫外線(EUV)露光装置は、最先端半導体の生産に欠かせず、数十人から100人程度の技術者が、ラピダス新工場の生産ラインの立ち上げや保守点検に協力する。 ...
極端紫外線(EUV)露光装置に比べ工数を減らすことができ、多くの電力も必要ない。... このためEUV露光装置と比べ、対象工程の製造コストを約4割、消費電力を同9割それぞれ減らせる見込...
レーザーテックは半導体向け極端紫外線(EUV)露光用パターン付きマスクの欠陥を高感度で検出できる高輝度EUVプラズマ光源「URASHIMA(ウラシマ)...
マイクロンが2025年12月―26年2月の出荷を目指している、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産に最大1670億円、同半導体を積層した先端DRA...
蘭ASMLのクリストフ・フーケ副社長は、ラピダスがパイロットラインを立ち上げる2025年までに極端紫外線(EUV)露光装置の導入準備を進めるほか、台湾積体電路製造(TSMC&#...
フッ化アルゴン(ArF)などEUVよりも旧世代の光源に多く使われており、自動車や産業機器など幅広い製品に搭載される半導体の製造に用いることから、中長期的な需要拡大が見込まれる。 ...
一方、ArF液浸などEUV以外の露光装置の今期の売上高見通しを引き上げた。... 一方、先端のEUV露光装置は一服感が目立つ。... EUV露光装置を設置するための熟練工も不足している模様だ。
EUV露光用部材増強 ―事業環境の認識は。 ... (中国の需要に対し)今後どのようなサプライチェーン(供給網)...
実際にJSRは21年には極端紫外線(EUV)の露光効率を高める金属系レジストを製造する米インプリアを約450億円で買収。
電子回路の微細化に対応するため、リソグラフィーの露光波長の短波長化が進み、現在は波長13・5ナノメートル(ナノは10億分の1)の極端紫外線(EUV)を使ったEUVリソグ...
