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高分解能化が進む オシロスコープ (2021/9/17 特集・広告)

■メーカーの対応 岩崎通信機は次世代半導体の炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーエレ分野に注力している。

また長年研究してきた大口径の窒化ガリウム(GaN)単結晶基板は、22年度の供給開始を目指し、いよいよ量産間近となった。GaN単結晶基板は、パワー半導体の機能向上に役立つと期待されている...

ダイヤモンドウエハーを用いたパワー半導体は、シリコンや窒化ガリウム(GaN)を用いた場合と比較し、高出力で放熱性に優れてており、6G用通信基地局や電気自動車(EV)の電...

【2000℃以上】 東洋炭素はシリコンや炭化ケイ素(SiC)単結晶製造工程向けのほか、ウエハー上に窒化ガリウム(GaN)層を製膜する際に使用する「MO...

発光ダイオード(LED)では、この転位は機能を大きく阻害しないためGaNの発光応用を実現する上で障壁にならなかった。... GaNデバイスを3度の傾斜で削れば、深さ方向は約20倍に拡大...

【浜松】浜松ホトニクスは7日、次世代パワー半導体材料である窒化ガリウム(GaN)など化合物半導体結晶の品質定量評価装置「ODPL測定装置C15993―01=写真」を開発、8月2...

ニチコン、アルミ電解コンデンサー 125℃・3000時間保証 (2021/6/29 電機・電子部品・情報・通信2)

過酷な条件下で設置される基地局や再生エネ分野の機器は、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などパワー半導体の採用が進む。

青色LEDはGaNの高品質な結晶化によって実現した。... CIRFEは19年、GaNの次世代半導体を使用した車載トラクションインバーターを用いた電気自動車(EV)「オールGaNビーク...

パワー半導体向け量産 住友化学は5年後をめどに気相成長(HVPE)法による窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の売上高を現在の3倍強の...

富士通ゼネラル、GaN―FET搭載の小型パワーモジュール (2021/6/16 電機・電子部品・情報・通信1)

子会社の富士通ゼネラルエレクトロニクス(岩手県一関市)がGaNデバイスメーカー大手、米トランスフォームの高耐圧性GaN―FETチップを搭載したモジュールを開発した。... サンプル価格...

大口径GaN基板が量産化されると、GaN基板上にGaN結晶を成長させ、より結晶欠陥の少ない基板を用いて高性能なパワー半導体を生産できるようになる。 このGaNオンGaN基板は、次世代...

航空機産業を支える実力企業 (2021/5/26 特集・広告)

現在、旅客機を対象としたハイブリッド化技術が検討されており、小型航空機においては窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)を用いた次世代パワー半導体を、電動システムへ...

三菱ケミカルと日本製鋼所は18日、半導体向けの2、4、6インチの窒化ガリウム(GaN)単結晶基板を生産できる初の量産実証設備を完成したと発表した。 ... 今後、4イ...

岩崎通信機、化合物半導体デバイス向け電流プローブ (2021/4/19 機械・ロボット・航空機2)

岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体デバイスの評価に適した電流プローブ(探針)「SS―500シリーズ=写真...

岩崎通信機は炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーエレ分野に注力する中、ユーザー要望に応える12ビットの高分解能、8チャンネルオシロが好調だ。

ローム、GaN製150ボルト耐圧HEMT 定格電圧8ボルト実現 (2021/4/8 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは150ボルト耐圧の窒化ガリウム(GaN)製高電子移動度トランジスタ(HEMT)で、ゲート端子とソース端子間の定格電圧を業界最高レベルの8ボルトに高める技...

産業春秋/赤崎勇さんを悼む (2021/4/6 総合1)

多くの研究者が敬遠した窒化ガリウム(GaN)と辛抱強く向き合い、20世紀中の開発は不可能とされた“常識”を覆した。 ... 世界中の研究者が見切りをつけたGaNにこだ...

従来のマイクロLEDは、窒化ガリウム(GaN)半導体ウエハーをプラズマエッチング法で小さく削る方法で作製されている。... (木曜日に掲載) ◇産総研...

現在では、次世代パワー半導体としてSiCだけではなく、窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウム、ダイヤモンドといったより低損失なパワー半導体が台頭してきている。 ...

窒化ガリウム(GaN)デバイスと低温同時焼成セラミックス(LTCC)基板を応用することで小型化した。... GaNデバイスを採用することで、従来のシリコン系デバイスより...

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