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記事検索結果
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ADEKAは千葉工場(千葉県市原市)でEUV(極端紫外線)フォトレジスト向け材料の生産設備を増設した。... フォトレジストの開始剤として使用され、...
EUVリソグラフィー技術は、量子科学技術研究開発機構(QST)も含む、大学、研究機関、企業での10年以上をかけた研究開発を経て実用化されている。 ... 物質を透過し...
【広島】米マイクロン・テクノロジーは22日、日本と台湾で導入を計画するEUV(極端紫外線)技術に関連し、次世代のDRAM製品の生産開始時期について台湾で2025年、日本では26年とする...
マイクロンはEUV(極端紫外線)技術を導入し、次世代DRAMを開発・量産する。EUV技術の導入は日本で初めてという。
極端紫外線(EUV)マスク検査用光源などのインダストリアルプロセス事業の強化や、紫外線治療機器を含むライフサイエンス事業を新たな経営の柱に育てる。
AGCは27日、半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランクスの生産能力について、2025年までに現在と比べ約30%増にすると発表した。... AGCでは17年に...
3月には北海道千歳市に新工場の建設を決めたほか、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関imec(アイメック)と次世代半導体の微細加工に必要な極端紫外線(EUV)露光技術...
次世代半導体微細加工向け 最先端半導体の開発製造会社のRapidus(ラピダス、東京都千代田区、小池淳義社長)は4日、ベルギーの世界的な次世代技術の研究機関であるim...
1ケタナノメートル台の半導体を製造するのに欠かせない極端紫外線(EUV)のマスク用防護カバー製造装置やEUV用に設計された塗布・現像装置などが対象になる。EUVの1世代前「ArF液浸」...
一方、JSRや東京応化工業、住友化学などが展開する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストでは、輸出管理厳格化の影響はほとんどなかったようだ。... フォトレジストは日本企業が世界シ...
最新機種のCG7300は極端紫外線(EUV)露光装置を用いる最先端半導体の量産ラインへの導入を目指し18年に開発を始めた。
EUV露光装置を手がけるASMLの22年10―12月期の営業利益は同約4%増の21億2400万ユーロ(約3027億円)。EUVに次ぐ微細加工が可能なArF液浸露光装置でシェア2...
ASMLは1ケタナノメートル台の半導体製造に不可欠なEUV(極端紫外線)露光装置で世界シェアを独占する。... 例えば、EUVより一世代前の「ArF液浸」露光装置はニコンが世界シェアの...
次世代材料では最先端の極端紫外線(EUV)露光に対応したフォトレジスト用ポリマーや「有機金属プリカーサー」などを開発している。... EUVレジスト用ポリマーや有機金属プリカーサー、パ...
これを捉え、プラズマの中空構造がEUV発光効率を高めると突き止めた。... これを最適化すると、EUVの高出力化につながる。EUVはミラーでの反射率が低く、光源の高出力化が求められていた。
半導体露光装置などの精機事業ではデジタル露光、映像事業では映像コンテンツ、ヘルスケア事業では細胞受託生産・創薬支援、コンポーネント事業では光学・極端紫外線(EUV)関連部品などを成長ド...
半導体部材、技術革新に挑む 全額出資子会社のAGCエレクトロニクス(福島県郡山市)が生産する半導体向けの極端紫外線(EUV)露光用フォトマスクブランク...
半導体回路の微細化に不可欠な極端紫外線(EUV)の露光装置を使った量産技術の開発を共同で進める。 imecはEUV露光技術のノウハウを持つ。
「1β」の開発には3年間に毎年10億ドル規模の投資を行い、韓サムスン電子などが採用している先端の露光技術「極端紫外線(EUV)」を使わず、成熟した「ArF液浸」の技術を用いて開発に成功...
半導体のナノ形状計測 近年、先端半導体製造技術として極端紫外線(EUV)リソグラフィーが実用化され、現在はその性能を向上させるための研究開発が活発に行われている。半導...
