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記事検索結果
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同社は半導体フォトマスク欠陥検査装置の大手メーカーだが、特に最先端分野であるEUV(極端紫外線:Extreme Ultraviolet)用フォトマスク向けでは独占的なポ...
現在半導体大手は極端紫外線(EUV)露光を用いて線幅2ナノメートル(ナノは10億分の1)の実現を目指している。
蘭ASML、キヤノン、ニコンの大手3社のうち、唯一極端紫外線(EUV)露光装置の開発に成功しているASMLが市場トップを独走する。
最先端のEUV(極端紫外線)技術を使った露光装置向けマスクの検査装置用光学系部品の販売も伸びており、25年度までに生産能力を現在の2倍程度に引き上げることを検討する。
最先端のEUV(極端紫外線)対応の露光装置の開発から撤退したため、最近の半導体スーパーサイクルの恩恵も受けていない。
極端紫外線(EUV)関連装置の増産対応、細胞受託生産関連などで設備投資を行うほか、材料加工やヘルスケア領域などでM&A(合併・買収)も計画する。 ...
現在最先端の半導体製造には「極端紫外線(EUV)露光」装置が使われているが、同社は同装置の開発からは撤退している。
(ASMLが供給を独占する)極端紫外線(EUV)の導入が進んでいるが、3次元NAND型フラッシュメモリーや相補型金属酸化膜半導体(CMOS)センサーは今...
「(半導体性能が1年半から2年で2倍になるという)ムーアの法則は今後10年以降も続いていく見通しで、それを中心的に支えるのが最先端の極端紫外線(EUV)露光装置。
需要が増加するArF(フッ化アルゴン)レジストやEUV(極端紫外線)レジスト向けの新規材料の研究開発を推進し、高品質化の要望に対応する。
AGCは25日、最先端の半導体製造プロセスである極端紫外線(EUV)露光用部材の生産能力を2024年までに現在の2倍に増強すると発表した。
極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストの生産を控えるなど順調に成長しているが、まだまだ飛躍する余地がある。
高度300キロメートル程度の大気は太陽の極端紫外線などによって一部電離されイオンと電子に分かれプラズマと呼ばれる状態となっており、電離圏と呼ばれる領域を形成している。 .....
微細化需要の高まりを背景にEUV(極端紫外線)露光工程の導入拡大が見込まれる一方、EUVは従来の露光方法と比べて回路線幅のばらつきが生じやすいなどの課題がある。
これから半導体産業の成長が期待される国でのシェア獲得と、極端紫外線(EUV)向けへの供給も今後は想定し、研究開発を推し進める。
新機能付与/少量多品種を製造 半導体の超微細加工の光源としてEUV(極端紫外線)レーザーの開発が進むことを前回紹介した。
半導体回路の微細化に寄与する極端紫外線(EUV)露光向けフォトレジストなどが好調なJSRは、今後も半導体材料を中心に高成長が続くと見込み、22年3月期連結業績予想を上方修正した。
