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記事検索結果
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【GaNオンSiでコスト低減】5G・6Gで採用期待 GaNオンSiは、Si基板上にGaNを結晶成長させた材料。... 【GaNオンGaNで高性能】22年度中に実証設備稼働 &...
ウエハーの大口径化と並ぶキーワードとして「新材料」を掲げ、飛躍的な性能向上が期待される炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの化合物半導体の可能性を語った。
データ生成のAIモデルでは敵対的生成ネットワーク(GAN)という手法で複合材のレシピから電顕画像やスペクトルを予測する。
同社では窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)製パワー半導体製造での使用を想定。
このバーチャルな映像を現実の質感に近づけるために人工知能(AI)技術のサイクルGANを利用した。
東ソーは1―2年以内にシリコン基板へ窒化ガリウム(GaN)を成膜するスパッタリングターゲット材の市場投入を目指す。... (素材・医療・ヘルスケアに関連記事) ...
市場要求を満たしつつ必須でない機能はそぎ落とし、顧客にとって価値のある製品開発につなげたい」(おわり) 【記者の目/ソリューション重要に】 ...
GaN基板のレーザースライス技術を開発した。 ... GaNの利用効率を高め、パワーデバイスの材料コストを10分の1にできるという試算も。「GaN普及の課題はコスト。
高価なGaNの利用効率が向上する。 ... この膨張する力でGaNがへき開される。... GaN基板の表面を繰り返し利用できる。
東芝デバイス&ストレージ(川崎市幸区、佐藤裕之社長)は、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの開発サンプルの提供を始めた。... 23年度に...
GaN基板の上でGaNの素子を作るパワーデバイスにつながる。 ... 酸性鉱化剤でGaNの溶解を促進させ、圧力を大型炉に適用可能なレベルに下げた。大口径で高純度なGaN基板...
信越化学工業は18日、パワーデバイス向けに窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル成長基板製品の製造・販売を始めると発表した。... 信越化学工業は2019年に米Qromis&#...
豊田合成は窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の市場形成に向け、GaNの種結晶(種となる小さな単結晶)の量産試作を始める。... GaNの普及で大きな障害となる...
GaNパワーデバイスを除き、日本の存在感は薄く巻き返しが必要だ。... そこで注目されるのがGaN。... GaNパワーデバイスの日本国籍の発明数は全体の43・9%を占め最大。
共同開発するGaNデバイスはデルタ電子が同社の電源向けに優先的に採用を検討する。... ロームは150ボルト耐圧のGaN製HEMTの量産体制を確立済み。現在、同HEMTと制御ICを組み合わせた、GaN...
821を同オシロスコープにインストールすることで、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のパラメーターや損失評価をオシロ内部で短時間で解析処理できる。 &...
送信機には窒素ガリウム系レーザーダイオード(GaN―LD)5個を使用し、光の高出力化とマルチビームを可能にして、水中で光線が不安定化する課題を解決。
【京都】ロームは窒化ガリウム(GaN)製パワー半導体の量産体制を整えた。生産子会社のローム浜松(浜松市南区)にGaN専用ラインを導入、15...
