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記事検索結果
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【新棟を建設】 ロームは、SiC製のショットキーバリアーダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のメーカーとして、世...
同社はこのほど、縦型GaNを使った金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)や直流(DC)/DCコンバーターなどを試作した。
シリコンの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べ性能が最大10倍高く、半導体パッケージの大きさは半分にできる。
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とダイオードの両方にSiCを採用。
宇宙航空研究開発機構(JAXA)と富士電機は、放射線耐性に優れ、電流損失を低く抑えられる「宇宙用SJパワー金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...
「JFET」と呼ばれる既存の素子に比べ、MOSFETはスイッチング速度を約2倍に高められる。... 窒化ガリウムのMOSFETは一般に、ゲート駆動が容易なため高速化できる。... そのため、JFETよ...
「車載、産業機器向けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に最も力を入れている。
当社は2010年にSiC製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を世界で初めて量産化した。... 一方でMOSFETとしては、電磁誘導加熱(IH)やパル...
「17年からSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産を始めた。
新電元工業は従来品比で約1・8倍の大電流を流せる車載用金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発し2018年春から量産を始める。MOSFET内部の接続部品に銅製の薄板を...
高耐圧チップの開発、パッケージ技術、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の駆動、変換器のモーター制御など、各部門が持つ専門技術を“通訳”するような役割だった」 ...
従来構造のSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と比べても、電力損失を最大5割程度低減できる。
【京都】ロームは金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「プレストモス」シリーズに、インバーター回路の低消費電力化に適した「R60xxMNxシリーズ=写真」を追加し...
フルSiCモジュールは、内部のショットキーバリアーダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を全てSiCで構成する。
車載用ECU内のリレーを駆動するICで高耐圧パワーMOSFET(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)を内蔵した。
ローム滋賀では金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)に加え、IGBTや微小電気機械システム(MEMS)の生産も開始する」 &#...
共同チームは高品質な2インチのGaNウエハーとMOSFETを作製した。... 富士電機などはMOSFETを作製。... GaNのMOSFETでこれらの特性を両立したのは初めて。
電源設備や高電圧パルス発生器にSiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用し、加速器中性子源の小型化を実現。
ローム 車載向けで業界最小となる金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「AG009DGQ3」を開発、量産を始めた。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のパワー素子に使える。... これまでIGBTやパワーMOSFETの製...
