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記事検索結果
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富士電機はSiC素子を採用したショットキーバリアーダイオード(SBD)と、既存のSi素子を使った絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を組み合わせたハイブリッド型...
ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)向けの絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の需要が急増しているためで、現行の研究用途向け1機種に加え、...
三菱電機 産業機器向けのパワー半導体モジュールの新製品「IGBTモジュールTシリーズ」を開発し、30日からサンプル出荷を始める。先端の第7世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGB...
三菱電機は産業機器向けのパワー半導体モジュールの新製品「IGBTモジュールTシリーズ=写真」を開発し、6月30日からサンプル出荷を始める。先端の第7世代の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ...
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)とダイオードを1チップ化した「RC―IGBT」を搭載するなどし、チップサイズを小さくしたり、チップ同士の間隔を狭めたりしてパッケージを小型化...
パワー半導体ではシリコン製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が主流だが、SiCは高効率で高耐圧を実現できるため、今後市場が大きく伸びると見られている。
同製品は高速スイッチングで低電流域での導通損失が低いMOSFETを採用したことで、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)よりも機器の定常運転時の低消費電力化に効果があるのが特徴。...
低電圧と高電圧を設定してゲート電荷曲線を測定する新たな測定方法を採用し、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)モジュールなど高電圧デバイスを正確に測定可能。
TDKはIGBTモジュールのスナバ回路用フィルムコンデンサーを検索できるウェブサイト「スナバキャップファインダー」の運用を始めたと17日発表した。IGBTモジュールの品番を検索フォームに入力するだけで...
独自構造の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)と、高放熱絶縁シートの採用により、同社の従来製品と比べ実装面積は約36%小型化、重量は約42%減らした。
高耐久・大電流対応の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を主力に、特に産業機器市場での拡販に成功した。... 宝泉徹電子デバイス事業本部事業統括部長は「IGBTの性能と、サービ...
ラピスでは、もう一つの生産拠点であるラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎市)でも、パワー半導体である絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)の生産増強に取り組んでいる。&...
後発となるシリコンIGBTを加えても、高耐圧系パワーデバイスの売上高は50億―60億円程度。... そのためIGBTでも順次ラインアップを拡充しており、「15年内には一通りはそろえる」(同&#...
高耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュールでは、独インフィニオン・テクノロジーズと世界シェア首位を争う。今後の成長に向けIGBTモジュールの一層の高機能化に取り組み...
SiC製MOSFETは、プレーナ型でもシリコン製IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)と比べてオン抵抗を半減できるが、トレンチ型によってさらに数分の1に低減できる。
