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NEC、3種のトランジスタを同一材料で形成する新製法を開発（2008/6/17）

米ホノルルで開催の半導体の国際学会「VLSIシンポジウム」で17日に発表する。

半導体各社、20ナノ台の実用化に懸念−露光工程で課題（2008/6/17）

17日に米国で開く半導体技術と回路設計の学会「VLSIシンポジウム」に際し、先端プロセスに携わるメーカーや研究所の研究開発責任者に聞き取り調査した。

東芝と米IBM、次世代CMOS基板を開発−二層接合し性能向上（2008/6/23）

「VLSI技術シンポジウム」で発表した。

東芝、次世代LSIの電極作製技術を開発−CMOS抵抗値30%低減（2008/6/23）

米ホノルルで開催された半導体の国際学会「VLSI技術シンポジウム」で発表した。

東芝、45ナノ世代CMOSロジック適用の新設計モデル開発（2008/6/20）

「VLSI技術シンポジウム」で発表した。

NECエレ、40ナノCMOSプロセス改良−素子のバラつき低減（2008/6/20）

「VLSI技術シンポジウム」で発表した。

日立と東大、スパコン搭載LSIの消費電力を半減する技術開発（2008/6/20）

米ホノルルで開催中の半導体の国際学会「VLSI回路シンポジウム」で現地20日に発表する。

米ホノルルで開催中の半導体の国際学会「VLSI技術シンポジウム」で発表した。

セリート、次世代微細LSI製造に適した新熱処理手法を開発（2008/6/18）

米ホノルルで開催中の半導体の国際学会「VLSI技術シンポジウム」で18日に発表する。

安藤研究所、柴氏ら6人に安藤博記念賞（2008/5/15）

▽柴建次広島大学准教授=体内埋め込み型医療機器用非接触電力伝送システム▽杉原真豊橋技術科学大学講師=価格競争力・信頼性に優れたVLSI設計技術▽杉山将東京工業大学准教授=非定常...

日本の技術「強み」と「弱み」(上)半導体メモリー優位（2008/4/10）

一方、VLSIシステムアーキテクチャーや基盤ソフトなどの分野は技術力が弱いことはないが、企業レベルでは国際的な優位性を持っていないと評価している。