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今後は技術革新とともに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代材料の採用も徐々に増えそうだ。 &...

信頼性を高め、厳しい環境で耐久性が求められる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったパワー半導体への使用につなげる。

複合ウエハー、微小圧電素子、チップ型電池や窒化ガリウム(GaN)ウエハーなどの新事業が本格化する。

挑戦する企業/日本ガイシ(8)研究開発、20年かけ収益化 (2019/5/30 素材・医療・ヘルスケア)

近年は超小型二次電池「エナセラ」や独自製法の窒化ガリウム(GaN)ウエハー「FGAN」、紫外発光ダイオード(LED)用マイクロレンズなどを矢継ぎ早に事業化した。 ...

挑戦する企業/日本ガイシ(6)矢継ぎ早に新製品 (2019/5/28 素材・医療・ヘルスケア)

新開発の窒化ガリウム(GaN)ウエハー「FGAN(エフガン)」もADCで扱う。

名古屋大学の天野浩教授らの研究グループは22日、次世代半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)にイオンを注入して高品質の「p型GaN」を作製する手法を開発したと発表した。......

窒化ガリウム 他分野にも門戸広げる 名古屋大学は未来エレクトロニクス創成加速DII協働大学院プログラムで、窒化ガリウム(GaN)を用いたエレクトロニクス技術を...

ポニー電機、パワエレ開発強化 無線給電研究で技術力向上 (2019/4/23 電機・電子部品・情報・通信2)

次世代パワー半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)を活用し、システムの小型化や高効率化、大電力化を目指す。

【名古屋】名古屋大学は未来材料・システム研究所の新たな窒化ガリウム(GaN)研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス研究館(C―TECs)=写真」を開設した。隣...

エムナプラ、パワー半導体接合材量産 二次実装処理向け (2019/4/5 素材・医療・ヘルスケア)

高温・高耐圧対応を要する次世代自動車の車載向けに使う炭化ケイ素(SiC)のほか、将来は第5世代通信(5G)基地局など向けに極低温環境対応も求められる窒化ガリウム(...

高温半導体素子向け接合材、三菱マテが2種開発 (2019/3/8 素材・ヘルスケア・環境)

三菱マテリアルは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの高温半導体素子を接合するための焼結型接合材料で、銅を使った2種類の材料を追加で開発した。

【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...

GaNはシリコンカーバイド(SiC)など従来の半導体材料に比べてエネルギー変換効率が高まり、輸送や発電などの用途に用いることで省エネルギー化できる。... モーターショー出展時は公道で...

ヘッドスプリングは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代半導体を使い、小型で耐熱性があり、変換効率のよい変換器の開発・製造技術を持つ。

大波に載れ!電子部品トップに聞く(6)ローム社長・藤原忠信氏 (2019/2/13 電機・電子部品・情報・通信1)

今後は蓄電池向けも期待できる」 ―次世代材料を使った窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の取り組み状況は。

そのため高周波出力のGaNを採用しないと、設備の小型化や省電力化が困難になる。 ... GaAsはGaNと同じく化合物半導体の技術だ。このため、既存の生産ラインをGaN用にも活用でき...

米トランスフォームのGaNFET、TDKラムダが採用 (2019/1/21 電機・電子部品・情報・通信)

米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。TDKラムダは、初めてGaNを使って最新...

三菱電、GaN製高周波デバイス 5G基地局向け攻勢 (2019/1/16 電機・電子部品・情報・通信2)

同製作所では、GaNをはじめとした化合物半導体の技術を培ってきた。高い周波数帯域を使う5GではGaN製が有利とされる。... 渡辺所長は「(GaN製と)GaAsとの共通設備が多い。

サムコ、直径200mm対応汎用ICP装置 21年ぶり刷新 (2018/12/5 電機・電子部品・情報・通信1)

汎用性や拡張性を高め、従来機で難しかった半導体レーザーや、窒化ガリウム(GaN)パワーデバイスの研究開発、少量生産用途などにも活用できる。

産業技術総合研究所の岸川諒子主任研究員と堀部雅弘研究グループ長と宇宙航空研究開発機構(JAXA)の川﨑繁男教授は、宇宙線ノイズに強い窒化ガリウム(GaN)を用いて高周波...

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