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記事検索結果
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三菱電機が第5世代通信(5G)需要の取り込みに向け、基地局向けに窒化ガリウム(GaN)を使った高周波デバイスの提案を強化する。... 20年度にはGaN高周波デバイス事...
片方は、敵対的生成ネットワーク(GAN)に関連した最新研究を基にAIがデザインしたものだ。 GANは、本物と同じような内容を作るネットワークと、本物か識別するネットワ...
電流を基板に対して垂直に流す「縦型」のGaNを採用し、大電流化と高周波を両立させた。... 主力製品の一つである発光ダイオード(LED)に使うGaNの技術を応用した。... パワー半導...
欠陥の仕組みの解明など高品質なGaN結晶の作製技術につながる。 GaN結晶断面にレーザー光を複数の高さで平面スキャンした。... GaN基板上で結晶成長する薄膜中...
一方、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の世界市場規模は30年に17年比72・2倍の1300億円とした。
◇大電力の電源機器を高速・小型化 パナソニックは、データセンター(DC)や通信基地局などで使う大電力の電源機器を高速に動かせる絶縁ゲート(MIS)型窒...
ルネサスエレクトロニクスは、宇宙産業向けに放射線耐性を持つ窒化ガリウム(GaN)電界効果トランジスタ(FET)と、GaNFETドライバーICを発売した。
ダイヤモンド電機は窒化ガリウム(GaN)パワー半導体を用い、最大2000キロヘルツの高周波数動作ながら電力変換効率が95%と高い、名刺サイズの絶縁双方向電力変換器(写真...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル成長装置も引き合いが多い。
トランスフォームの高電圧(HV)GaN(窒化ガリウム)製品は、安川電機のサーボモーター「Σ―7F(シグマ・セブンF)」で採用され、性能と電力密度の向上に...
近年、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)などを用いた次世代パワー半導体やDC/DCコンバーター向けで高周波製品が増えており、改良してニーズに対応した...
【横浜】レーザーテックは次世代半導体ウエハーの窒化ガリウム(GaN)ウエハーに特化した欠陥検査/レビュー装置「GALOIS(ガロワ)=写真」を開発し受...
エピタキシャル装置は、炭化ケイ素(SiC)と窒化ガリウム(GaN)の次世代半導体ウエハーに対応した製品を拡販する。
京都工芸繊維大学グリーンイノベーションセンターの上田大助特任教授らは31日、青色発光ダイオード材料として知られる窒化ガリウム(GaN)の成膜を高品質・高効率で行う技術を開発したと発表し...
GaNと絶縁層の間にガリウム酸化物の薄層が存在していた。... 二酸化ケイ素を絶縁層に使ったGaNトランジスタを作製し、絶縁層とGaNの界面に厚さ1・5ナノメートル(ナノは10億分の1)...
「一つは窒化ガリウム(GaN)ウエハー。... 「GaNウエハーの用途の一つは、プロジェクター向けのレーザー光源。今後プロジェクター用光源において超高圧水銀ランプからレーザーへの置き換...
今後、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などのパワー半導体素子は電気自動車(EV)、鉄道をはじめ省エネルギー用途での活用が期待されている。
豊田合成は後にノーベル物理学賞を受賞する赤崎勇名城大学教授の指導を受け1991年に世界で初めて窒化ガリウム(GaN)系の青色LEDを開発。
