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記事検索結果
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窒化ガリウム(GaN)パワー半導体や白、青色発光ダイオード(LED)を製造する有機金属化学気相成長(MOCVD)装置で使う治具を洗浄する。... GaN...
三菱電機は2日、産業技術総合研究所と共同で単結晶ダイヤモンド放熱基板を使ったマルチセル構造の窒化ガリウム製の高電子移動度トランジスタ(GaN―HEMT)を世界で初めて開発したと発表した...
今後は技術革新とともに炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)など次世代材料の採用も徐々に増えそうだ。 &...
信頼性を高め、厳しい環境で耐久性が求められる炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)といったパワー半導体への使用につなげる。
複合ウエハー、微小圧電素子、チップ型電池や窒化ガリウム(GaN)ウエハーなどの新事業が本格化する。
近年は超小型二次電池「エナセラ」や独自製法の窒化ガリウム(GaN)ウエハー「FGAN」、紫外発光ダイオード(LED)用マイクロレンズなどを矢継ぎ早に事業化した。 ...
名古屋大学の天野浩教授らの研究グループは22日、次世代半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)にイオンを注入して高品質の「p型GaN」を作製する手法を開発したと発表した。......
窒化ガリウム 他分野にも門戸広げる 名古屋大学は未来エレクトロニクス創成加速DII協働大学院プログラムで、窒化ガリウム(GaN)を用いたエレクトロニクス技術を...
次世代パワー半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)を活用し、システムの小型化や高効率化、大電力化を目指す。
【名古屋】名古屋大学は未来材料・システム研究所の新たな窒化ガリウム(GaN)研究拠点「エネルギー変換エレクトロニクス研究館(C―TECs)=写真」を開設した。隣...
高温・高耐圧対応を要する次世代自動車の車載向けに使う炭化ケイ素(SiC)のほか、将来は第5世代通信(5G)基地局など向けに極低温環境対応も求められる窒化ガリウム(...
三菱マテリアルは、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの高温半導体素子を接合するための焼結型接合材料で、銅を使った2種類の材料を追加で開発した。
【ビジネスワイヤ】半導体メーカーの米トランスフォームは、同社の第3世代JEDEC準拠高電圧GaN(窒化ガリウム)電界効果トランジスタ(FET)プラットフォーム「TP65...
GaNはシリコンカーバイド(SiC)など従来の半導体材料に比べてエネルギー変換効率が高まり、輸送や発電などの用途に用いることで省エネルギー化できる。... モーターショー出展時は公道で...
ヘッドスプリングは炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などの次世代半導体を使い、小型で耐熱性があり、変換効率のよい変換器の開発・製造技術を持つ。
今後は蓄電池向けも期待できる」 ―次世代材料を使った窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の取り組み状況は。
そのため高周波出力のGaNを採用しないと、設備の小型化や省電力化が困難になる。 ... GaAsはGaNと同じく化合物半導体の技術だ。このため、既存の生産ラインをGaN用にも活用でき...
米トランスフォームは同社の高電圧窒化ガリウム(GaN)パワー電界効果トランジスタ(FET)がTDKラムダに採用されたと発表した。TDKラムダは、初めてGaNを使って最新...
