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次世代不揮発メモリーの仕組み、原子力機構など解明 アルミで劣化防ぐ （2019/11/15 科学技術・大学）
日本原子力研究開発機構や高エネルギー加速器研究機構の研究グループは、次世代不揮発メモリーの材料として期待される「アモルファス(非晶質)アルミニウム酸化膜」のメモリー動作の仕組みを解明し...
東大、最軽量・最薄の柔らかいタッチセンサー開発 （2013/7/25）
染谷教授らは、表面が粗い1・2マイクロメートル(マイクロは100万分の1)厚の高分子フィルムに、厚さ19ナノメートル(ナノは10億分の1)の絶縁膜を均一に作製することに...
東北大、次世代ゲルマトランジスタを2ナノ酸化膜で構造実現 （2012/9/18）
まずゲルマニウム基板表面の自然酸化膜を、独自開発した反応性の高い水素原子を使って除去した。そして真空状態で中性粒子ビームを使って300度C以下で酸化させて均一なゲルマニウム酸化膜をつくる。 &...
