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記事検索結果
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有機金属気相エピタキシャル成長(MOVPE)法により、窒化アルミの基板上にpn接合ダイオードを作製。
信越化学工業はGaNエピタキシャル成長用の複合材料基板「QST基板」を手がけ、量産体制を構築している。
研究グループは、結晶構造が立方晶の3C―SiCと、六方晶の4H―SiCを積層させたハイブリッド構造基板を同時横方向のエピタキシャル成長法を用いて製作。
東京農工大学の熊谷義直教授らは大陽日酸と共同で、次世代パワー半導体向け材料として期待される高純度のβ型酸化ガリウム結晶の高速成長を、有機金属気相エピタキシャル成長(MOVP...
従来、r―GeO2は成膜時に蒸発するため、霧(ミスト)状の溶液を使い薄膜を形成する「ミストCVD(化学気相成長)」法でも低結晶領域が混入し、うまくエピタキシャル成長させ...
同プロジェクトは30年までに溶液成長法による200ミリメートルSiCウエハーの実用化を目指すもので、名大の研究成果をベースに結晶成長の知見のあるオキサイド、ウエハー加工技術や評価技術を持つMipoxの...
酸化ガリウム単結晶基板の製造・加工用設備、検査設備のほか、ウエハー上に酸化ガリウムをエピタキシャル成長させる成膜装置を追加導入する。
信越化学工業は18日、パワーデバイス向けに窒化ガリウム(GaN)エピタキシャル成長基板製品の製造・販売を始めると発表した。... サンケン電気から技術供与を受け、基板となる結...
真空中で結晶成長を促す分子線エピタキシャル成長(MBE)法で直接、下地基板上にテンプレートとなる窒化ガリウムの薄膜を作製。
単結晶の上で単結晶を作るエピタキシャル成長法で、ニッケルのハロゲン架橋金属錯体とパラジウムのハロゲン架橋金属錯体の単結晶が接する界面を作製した。
そこで生きるのが、傘下のニューフレアテクノロジー(横浜市磯子区)が手がけるエピタキシャル成長装置の技術だ。
この問題解決のため、情報通信研究機構(NICT)は、エピタキシャル成長と呼ばれる結晶成長法を用いた窒化物超電導量子ビットを開発した。 この量子ビットは、超電導体として...
アールデックが国内で販売するのは半導体の結晶成長を促す分子線エピタキシャル成長法(MBE)装置や、真空管システム用のセルなど。
【最小オン抵抗】 産総研ではこれらの課題克服のため、MOSチャネルを結晶品質が高いエピタキシャル成長膜で構成したIE−MOSFETを開発し、当時の世界最小オン抵抗を達成した。
ニューフレアテクノロジーは、パワー半導体の製造に使う「エピタキシャル成長装置」の開発や設計、製造に関して、同装置の開発などを手がけるエピクエスト(京都市南区)と資本業務提携を結んだ。....
同社は、回路をシリコンウエハーに転写する際の原版(フォトマスク)の製造に使う「電子ビームマスク描画装置」やフォトマスクの検査装置、シリコンウエハー上に薄い膜を作る「エピタキシャル成長装...
炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル成長装置も引き合いが多い。
