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私たちは広島大学 藤島研究室とパナソニック株式会社と共同で、コンピューターなど情報処理機器一般に広く用いられているシリコンCMOS集積回路によって300ギガヘルツ帯無線送受信機を開発した。一般的な無線...

東京工業大学は富士通研究所(川崎市中原区)と共同で、70ギガ―105ギガヘルツ(ギガは10億)と広い周波数範囲で高速に信号処理できる相補型金属酸化膜半導体(CMOS)無線送受信チップを開発した。......

今後、プロセッサーなどを集積して1チップ化し、2020年以降に実用化する。 ... これで、約25度―約150度Cの高温下でも高速変調が可能になり、CMOS回路として初めて、車載レー...

共同チームは、高周波圧電共振器を位相同期回路(PLL)に用いるための新しいアルゴリズムと回路技術を開発した。... 高周波圧電共振器は小型で集積化可能。... 配線幅65ナノメートル(ナノは10億分の...

光集積回路の実用化に向けた前進となる。 ... 集積回路に積みやすいシリコン薄膜にナノ寸法の穴を周期的に開けたフォトニック結晶構造を利用。... 今回、フォトニック結晶を使った光ナノ...

実用レベルの動作速度の多結晶ゲルマニウム集積回路が作製でき、LSIの3次元積層の実現につながると見込む。... 多結晶ゲルマニウムは既存材料である多結晶シリコンに比べ、より低温(500度C以下)で作れ...

半導体はこれまで微細化によって高性能化を進め、いわゆる「ムーアの法則」に従って回路の集積度を飛躍的に向上させてきた。... 既存の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)プロセスで作れるところは作り、電子の...

東芝は既存の水晶発振器に匹敵する精度を持つシリコン半導体製の発振器を開発した。... 今回、従来のCMOS発振器に、出荷時に素子の温度をテストするためのオンチップヒーター、発振器内の温度を測るための温...

産業技術総合研究所は、化合物半導体で作った新型の3次元積層の相補型金属酸化膜半導体(CMOS)回路を開発した。... 代表的なCMOS回路を試作し、電源電圧が0・37ボルトで動作することを確かめた。&...

産業技術総合研究所のナノエレクトロニクス研究部門の臼田宏治特定集中研究専門員らは、3次元(3D)積層技術による高密度集積回路(LSI)向けのp型・n型両極性多結晶ゲルマニウム(Ge)トランジスタの動作...

既存のシリコン集積回路の製造プロセスに応用できる。... 今後は電気的な制御でトランジスタ極性を変えられる相補型金属酸化膜半導体(CMOS)や、大面積グラフェンを使った素子の作製を目指す。 &...

【半導体の技術動向/微細化以外で性能向上】 半導体メーカーは半導体の回路を微細化することで集積度を高めてきた。... 3D実装の中核技術は「シリコン貫通ビア(TSV)」。... 東芝...

微小電気機械システム(MEMS)技術を用いて実現するもので、ICとMEMSを縦集積するプロセスを開発した。... 野洲事業所(滋賀県野洲市)の量産8インチ相補型金属酸化膜半導体(CMOS)ラインと同M...

半導体は20ナノレベルの量産化時代を迎え、高集積化の限界が叫ばれているなか、要素技術をめぐる開発競争が激しさを増している。... これらのチップをシリコン貫通銅配線でつなぐことで高速化し、相補型金属酸...

NECは0度―75度Cの温度範囲で使えるシリコン製の集積型光スイッチを世界で初めて開発した。... シリコン基板上に多数の光素子を集積するシリコンフォトニクス技術で光スイッチを作製した。標準的な相補型...

【集積回路に限界】 コンピューターの性能は、シリコントランジスタ集積回路の微細化によって支えられてきた。... 研究室はこの限界を回避するために、トランジスタとは全く動作原理の異なる...

磁石と半導体を世界で初めて組み合わせ、データベースマシンの高速データ検索に使う世界最小の汎用(はんよう)検索集積回路を試作した。... 「VLSI回路シンポジウム」で17日に発表する。 標準の...

シリコン半導体を使って光回路を作製する「シリコンフォトニクス」と呼ぶ最新技術を使い、現在の石英製光スイッチに比べて約100分の1に小型化する。... 130ナノメートル(ナノは10億分の1)の相補型金...

デジタル回路とアナログ回路を組み合わせた位相同期回路(PLL)を使い、CMOSに適した品質の良い周波数変調連続波(FMCW)信号を出力できるように作り込んだ。 ... 車両の衝突事故...

まず直径10ナノメートルのゲルマニウムを2ナノメートル厚のシリコンで包んだ半導体ワイヤを作製。... これらを496個接続した面積960平方マイクロメートル(マイクロは100分の1)の回路が加算、減算...

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