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従来の作製手法でシリコン中に高濃度のタングステンを導入した場合には、通常、熱平衡状態になり、タングステンの凝集やシリサイドへの相分離が起きる。

熱電変換材料として知られる「マグネシウムシリサイド」のハニカム(蜂の巣)構造の新規合成法を確立。... マグネシウムシリサイドは自然界に豊富な元素から成る軽量な熱電変換材料として知られ...

また、半導体デバイスや太陽電池の分野で広く活用されており、その性能や加工について膨大な知識が蓄積されている材料であるが、特に金属との化合物(シリサイド)になることにより、機能の幅を広げ...

鉄シリサイド半導体のバンド端吸収や銀膜が高温で安定するように設計を最適化した。... 太陽光吸収層は鉄シリサイド半導体と二酸化ケイ素を組み合わせ、赤外光反射は銀とシリコン窒化膜を組み合わせた。 ...

大阪大学大学院工学研究科の萩原幸司准教授と中野貴由教授らは、1400度C以上の超高温で使用できる金属とシリコンの合金シリサイドがベースの「複相シリサイド合金」を開発した。... 新材料は複相シリサイド...

半導体のマスク材料に用いられるモリブデン・シリサイド膜では、幅8・9ナノメートルで加工できた。

内容は「活性酸素を除くナノ粒子」「新しい太陽電池材料シリサイド」「どの視点からでも見られるスポーツ中継システム」など。

1400度Cで耐性がある複相シリサイド材料を開発した大阪大学大学院工学研究科准教授の萩原幸司さんは、「思い描いていたのは、割れにくい茶わん」と開発イメージを明かす。

【水戸】茨城大学工学部の鵜殿治彦教授の研究室は、東北大学多元物質科学研究所の一色実教授らのグループとの共同研究で、半導体材料「マグネシウムシリサイド(Mg2Si)」を使って、波長2マイ...

代替物として有力視されているのが東京理科大の飯田教授が研究を進める「マグネシウムシリサイド」。

ゲルマニウム上に直接、単結晶を成長して界面付近の1・5ナノメートル(ナノは10億分の1)程度の鉄シリサイド化合物の層を制御して良好な整流特性を得た。

【水戸】茨城大学工学部の鵜殿治彦准教授は、排熱から電気エネルギーを取り出す排熱発電材料「マグネシウムシリサイド(Mg2Si)」の新しい溶融合成法を確立した。

同装置は排熱発電材料「マグネシウムシリサイド(Mg2Si)」の試作材料を製造するために開発した。... 同社はマグネシウムシリサイドを研究している東京理科大学基礎工学部材料工学科の飯田...

マグネシウムとシリコンを焼結させ、排熱発電モジュールなどに使える「マグネシウム・シリサイド」の製造装置は、特殊材料の創出に期待が高まる。

東京理科大学の飯田努准教授ら研究チームは、シリコンの廃棄物を用いた排熱発電材料「マグネシウムシリサイド」を、手のひらサイズのモジュール化することに成功した。

また電極に作るシリサイド(シリコンと金属の化合物)にアルミニウムをnMOSのみ選択的に注入し、さらに効果を高めた。

遮光部の材料をエッチングの精度を制御しにくいクロムから、モリブデンシリサイドに変更。

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