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技術で未来拓く・産総研の挑戦(116)ポストシリコン材料との異種集積（2020/3/5 科学技術・大学）

シリコンより優れた性能を持つゲルマニウム(Ge)や化合物半導体は、ポストシリコン材料と呼ばれ、シリコンに替わる材料として精力的に研究開発が行われている。 ... とは...

しかし半導体回路をシリコンに焼き付ける露光技術は微細化の観点では限界点に近づきつつあり、さらに高集積化すればするほど発熱を抑えることが難しくなる。 ... 半導体の世界では“ポスト・...

トランジスタの大きさは1マイクロメートル(マイクロは100万分の1)で、22ナノメートル(ナノは10億分の1)まで微細化が進むシリコン製トランジスタに比べると極めて大き...

産総研、シリコン性能超える素子−ポリマー上で作製（2012/9/28）

開発したのは、300ナノメートルという極薄のポストシリコン材料であるインジウム・ガリウム・ヒ素層を使用。この層を基板上に結晶成長させ、ポリイミドを使ってシリコン上に貼り付ける。... ポストシリコン材...

検証2011/パワー半導体転換点−ウエハーに炭化ケイ素（2011/12/23）

この課題を克服できるのが炭化ケイ素(SiC)で、“ポスト”シリコンとして実用化が始まっている。... シリコンに比べて消費電力量をより一層抑制できる。 ... ダイオ...

産総研と筑波大、グラフェンが半導体に変わることを解明（2011/3/4）

ポストシリコン材料として期待されるグラフェンを使った電子部品の実現に役立ちそうだ。グラフェンのデバイス応用は、絶縁体基板として使う酸化シリコン膜との複合構造のメカニズムや性質を理論的に解明す...

社説/科学と技術−知のフロンティア拡大に期待（2009/12/29）

電気伝導性が高く大電流にも耐えることから、高性能・省電力の電子回路を実現するポスト・シリコンの呼び声が高い。

回復の兆し・半導体製造装置(下)後工程投資に期待（2009/12/3）

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などポストシリコンは数多い。

現在のシリコン製トランジスタの100倍以上の動作性能を見込む、次世代素子の量産化の壁を突破した。... 富士通研は絶縁加工したシリコン基板上に、一般的な化学気相成長(CVD)法でグラフ...

東大、光領域で量子ホール効果−新現象を理論的に提案（2009/9/22）

加えて、ポストシリコン材料として現在脚光を浴びるグラフェンも、光学的な量子ホール効果が現れることを予言した。

最先端走るNEDO・第2部(中)太陽電池（2009/5/12）

東大グループのテーマは「ポストシリコン超高効率太陽電池の研究開発」。... 各グループのテーマをおおざっぱにいうと、東大はポストシリコン、産総研は薄膜多接合、東工大は集光が柱になる。

大阪市立工業研究所、30日に太陽電池の技術情報セミナー（2009/1/28）

大阪市立工業研究所(大阪市城東区、06・6963・8012)は、ポストシリコン太陽電池をテーマにした技術情報セミナーを、30日13時半に大阪市中央区の大阪産業創造館6階会議室で開く。材...

炭素材料「グラフェン」研究、世界で大ブーム（2008/12/1）

半導体と金属の性質を併せ持つグラフェンは、性能の指標となる移動度がシリコンの100倍以上といわれ、金属やCNTを上回る。超電導体になるなど物理学的な特徴も持つが、特に超高速トランジスタといった次世代エ...

微細化の先に(2)日立製作所執行役常務・武田英次氏（2008/6/3）

「シリコン以外の材料開発(ポストシリコン)などがある。ポストシリコンとしては、炭化ケイ素(SiC)や有機半導体の研究を推進。... 一時、ガリウムヒ素(GaAS...