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2007年以降、強磁性体のルテニウム酸ストロンチウムで理論予測を超える磁気制御効率が報告され、その起源は謎とされていた。
研究グループは、スカンジム酸ガドリニウム(GdScO3)基板上に成膜したルテニウム酸ストロンチウム(SrRuO3)とのヘテロ界面に着目。
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2007年以降、強磁性体のルテニウム酸ストロンチウムで理論予測を超える磁気制御効率が報告され、その起源は謎とされていた。
研究グループは、スカンジム酸ガドリニウム(GdScO3)基板上に成膜したルテニウム酸ストロンチウム(SrRuO3)とのヘテロ界面に着目。
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