記事検索結果

主張/産学連携でイノベ資金東京工業大学学長・益一哉（2019/9/16 パーソン）

参考事例として、半導体理工学研究センター「STARC」を紹介したい。STARCは1995年に国内半導体メーカー約10社の共同出資で、株式会社として設立された。... 【略歴】ます・かずや 82...

産総研、LSI基板上の回路特性を解析できるシステム開発（2013/4/17）

エーエスエムエル・ジャパンのリソグラフィーシミュレーターと、半導体理工学研究センターのTCADシステムをつないで製造から製品化までを一貫でシミュレーションできるようにした。... ナノテクノロジー研究...

広島大学が開発した絶縁膜上シリコン(SOI)・電界効果トランジスタ(FET)の回路設計用トランジスタモデルが、半導体などの国際標準化委員会「CMC」から標準品として認定...

従来はIGBTを構成するバイポーラトランジスタと、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を組み合わせてシミュレーションしていた。... 半導体理工学研究センター(...

半導体理工学研究センター、半導体の今後議論（2009/7/14）

半導体理工学研究センター(STARC)は8月25日10時から新横浜国際ホテル南館(横浜市港北区)で「STARCフォーラム」を開く。研究成果の報告や、新プロジェクトを紹介...

半導体理工研、東大・慶大と連携−グリーンITプロ受託（2009/7/7）

半導体理工学研究センター(STARC)、東京大学、慶応義塾大学は6日、新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)委託事業である「極低電力回路・システム技術開発...

スタークと東北大、誘電率低い高機能絶縁膜の作製で新手法（2008/6/2）

東芝、ソニーなど半導体メーカー民間11社が出資する半導体理工学研究センター(スターク、横浜市港北区)は東北大学の寒川誠二教授らと共同で、次世代LSIの配線部に使う誘電率の低い高機能絶縁...

半導体理工学研究センター、7月に半導体産業でシンポジウム（2008/5/23）

半導体理工学研究センター(STARC、横浜市港北区、045・478・3300)は7月16、17の両日、横浜市西区のパシフィコ横浜で、半導体産業の現状や将来像などをテーマにしたシンポジウ...

東京大学大学院工学系研究科の尾嶋正治教授らの研究グループは、半導体理工学研究センター(STARC)と共同で、次世代の高密度集積回路(LSI)に使う絶縁膜の組成や欠陥の分...

【京都】立命館大学理工学部の福井正博教授は半導体理工学研究センター(横浜市港北区)、インターデザイン・テクノロジー(東京都港区)と共同で、半導体設計技術教育教材「アルゴ...