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記事検索結果
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一方、近年は人工知能(AI)計算に応用できる酸化ハフニウム系強誘電体からなる強誘電体トランジスタ(FeFET)を用いた「物理リザバーコンピューティング」の研究が注目され...
「国際電子デバイス会議(IEDM)」で発表する。 ... Si―IGBTは、価格の面から、今後10年はパワーデバイスの主流を占めるとみられるが、性能向上の限界に近づい...
東北大学原子分子材料科学高等研究機構の寒川誠二教授らは、台湾の国立交通大学、国立ナノデバイス研究所と共同で、10ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降に向けた3次元フィン型のゲルマ...
13日に米ハワイで開幕した半導体の3大国際会議の一つ、「VLSIシンポジウム」では、新たな潮流として、AIや自動車業界から注目の招待講演が行われる。... /3次元LSIなど集積化技術にも注...
産業技術総合研究所は、次世代の省電力デバイスとして有望なトンネルトランジスタ(トンネルFET)が、従来の電界効果トランジスタ(MOSFET)に比べて10万倍以上長寿命で...
米国のサンフランシスコで開かれている国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する。 ... また、ゲルマニウム中の電子や正孔の移動度はシリコンよりも高く、高速動作や低電...
米国のサンフランシスコで開かれている国際電子デバイス会議(IEDM)で発表する。 ... こうして開発したのが、電子や不純物を粒子として扱う半導体シミュレーター。.....
超低電圧デバイス技術研究組合(LEAP)は、名古屋大学、産業技術総合研究所と共同で、データセンター向け固体外部記憶装置(SSD)用の新型相変化素子「TRAM」を開発した...
米国のサンフランシスコで15日、半導体デバイス分野で世界的に権威ある国際学会「国際電子デバイス会議(IEDM)」が開幕する。... 今回の成果は、米インテルやベルギーの研究機関であるI...
研究グループはデバイスの電気特性に関与しない電子計算を省略し、個々のデバイスで、原子配列が乱れる部分は、その乱れの大きさをパラメーター1個のみで計算できるモデルを開発した。... 今後、複数のトランジ...
成果の詳細は、12月から米ワシントンで開かれる国際電子デバイス会議(IEDM2013)で発表する。 ... SiC半導体は、シリコン半導体に比べて絶縁破壊を起こす電界...
米サンフランシスコで開催中の国際電子デバイス会議(IEDM)で報告した。 ... この二酸化シリコン膜は電気特性に優れており、TFTの電子の流れを制御する「ゲート酸化...
日立製作所は薄くて折り曲げられるフレキシブルな無線デバイスを作製するための基本技術を開発した。... 電流が流れるチャンネル材料のインジウムガリウム酸化亜鉛の金属組成比を改良したほか、厚さを20ナノメ...
