記事検索結果

東北大・埼玉大、「おわん型分子」開発強誘電体メモリー、密度数十倍（2021/2/11 科学技術・大学）

東北大学の呉筧筠大学院生、芥川智行教授、埼玉大学の古川俊輔助教、斎藤雅一教授らの研究グループは、非平面型の湾曲した「おわん型分子」を開発し、その性質を利用した強誘電体メモリーを作製した。... 研究グ...

東工大など、窒化アルミスカンジウムを薄膜化し強誘電性向上に成功（2020/9/21 科学技術・大学）

東京工業大学物質理工学院材料系の舟窪浩教授、安岡慎之介大学院生らは産業技術総合研究所、東北大学などと共同で、強誘電体の中で最も高い強誘電性を持つ窒化アルミニウムスカンジウムを薄膜化し、強誘電性をさらに...

また消費電力の低い強誘電体メモリー(FeRAM)や、不揮発性ロジックを活用している。

富士通セミコン、9KB強誘電体メモリー搭載の無線識別タグ用IC （2012/6/29）

富士通セミコンダクターは28日、無線識別(RFID)タグ用ICのラインアップに、9キロバイトの強誘電体メモリー(FRAM)を搭載した新製品(写真、一目盛りは1ミ...

パナソニック、次世代メモリー内蔵の新型マイコン量産へ（2012/5/15）

メモリーセル書き換え10ナノ秒を達成した。... ただし、メモリー単体としては事業化しない方針だ。 ... パナソニックは量産実績が豊富な強誘電体メモリー(FeRAM)...

ロームは世界で初めて強誘電体メモリー(FeRAM)用の強誘電体素子を量産化したが、2001年に撤退。... 08年に強誘電体素子を用いた独自の不揮発ロジック技術を確立。... 複数の強...

東芝、8倍高速でデータ転送可能な強誘電体メモリー開発（2009/2/10）

東芝は9日、電源を切っても記憶を保持する不揮発性メモリーで、従来比8倍高速な毎秒1・6ギガバイト(ギガは10億)でデータを転送する強誘電体メモリー(FeRAM)を開発し...

極める(12)ホソカワミクロン−ナノ粒子設計（2008/8/25）

粉体製造装置メーカーの同社は、ナノ粒子を制御する技術を蓄積。... 同社は低温焼成が可能な強誘電体メモリー材料や、プラズマ・ディスプレー・パネルを鮮明にする蛍光体材料などの開発にも着手。開発分野は粉体...

半導体メーカー、2012年以降実用化へ次世代メモリー開発（2008/7/17）

その際、汎用メモリーではなくロジックLSIへの混載メモリーとして用いる。 ... ただ、同グループでは強誘電体を用いた「FRAM」を事業化しているため、実用化に向けては事業構成の調整が必要にな...

とりわけ強誘電体メモリー用材料分野などの開発、需要開拓を強化している。

ジェイアール東日本メカトロニクス(東京都渋谷区)は24日、メモリー容量を従来の4キロバイトから8キロバイトに増やした新しい交通事業所向けICカードを開発、販売を開始したと発表した。非接...