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するとスピン軌道相互作用に伴う電気抵抗振動のうねりが観察された。... この相転移は抵抗変化型メモリー(ReRAM)開発の端緒となった。

中央大学理工学部の竹内健教授らは、データの精度を落としエラーを許容する計算手法で、高速で低電力な抵抗変化型メモリーストレージ(外部記憶装置)の要素技術を開発した。... 抵抗変化型メモリーの画像や音声...

パナソニック、台湾UMCと次世代メモリー「ReRAM」開発 (2017/2/2 電機・電子部品・情報・通信1)

パナソニックは1日、台湾・聯華電子(UMC)と次世代抵抗変化型メモリー(ReRAM)量産プロセスの共同開発で合意したと発表した。... ICカードやウエアラブル端末、IoT(モノのインターネット)機器...

東芝、深層学習の脳型プロセッサー開発−6分の1の電力で実現 (2016/11/10 電機・電子部品・情報・通信1)

東芝はディープラーニング(深層学習)を低消費電力で実現する脳型プロセッサーを開発した。... 揮発性メモリー使用プロセッサーの画像認識試験で、演算当たりの消費エネルギー20・6フェムトジュールを実現し...

ミシガン大学のグループは、自己給電型で世界最小サイズの無線センサー端末を発表した。... 【28ナノ混載用途】 一方、日本勢の中では、業界で初めて抵抗変化型メモリー(ReRAM)を量...

中央大学理工学部の竹内健教授らの研究チームは、次世代半導体メモリーである抵抗変化型メモリー(ReRAM)とNANDフラッシュメモリーを組み合わせたハイブリッド固体記憶駆動装置(SSD)向けとして、高速...

パナソニックは30日、8月中旬からReRAM(抵抗変化型メモリー)を内蔵したマイコン「ReRAMマイコン」を世界で初めて量産すると発表した。... 血圧計などの携帯型ヘルスケア機器、火災報知機などのセ...

物質・材料研究機構の木戸義勇元強磁場センター長らの研究チームは、アルミサッシなどに使われるアルマイト(アルミ陽極酸化膜)とシリコンを用いて、簡単につくれる抵抗変化型メモリー(ReRAM)を開発した。従...

量産を検討するのは3次元NAND型フラッシュメモリーと、ReRAM(抵抗変化型メモリー)の2種類。... サムスンも3次元NAND、MRAM(磁気抵抗メモリー)、ReRAMなど複数の技術開発を急ぐ。ま...

「NAND型フラッシュメモリーの微細化には限界がある。... そのため、同社は東芝と共同で“ポストNAND”と目される3次元(3D)メモリーの開発に注力。「3DのReRAM(抵抗変化型メモリー)は研究...

中央大学理工学部の竹内健教授らの研究グループは、高速に書き換えができる抵抗変化型メモリー(ReRAM)と大容量のフラッシュメモリーなどを立体構造に積層した「ハイブリッドSSD(ソリッド・ステート・ドラ...

半導体の技術革新に不可欠だが、パソコンのメーンメモリーに用いる「DRAM」やデジタル機器の記憶媒体に使う「NAND」型フラッシュメモリーでは微細化が限界を迎えつつある。 ... 2月...

パナソニックは2013年1―3月期に抵抗変化型メモリー(ReRAM)内蔵マイコンの量産に乗り出す。... メモリーセル書き換え10ナノ秒を達成した。... ただし、メモリー単体としては事業化しない方針...

バッファローメモリ(名古屋市中区、050・5830・8900)は、使用頻度の高いデータの出し入れを行うキャッシュメモリーにMRAM(磁気抵抗変化型メモリー)を採用したソリッド・ステート・ドライブ(SS...

従来の試験研究助成では、広島大学大学院先端物質科学研究科・大田晃生研究員「超低消費電力化・微細化に向けたSi酸化物を用いた抵抗変化型メモリの研究」など11件を選んだ。

エルピーダメモリは24日、次世代メモリーの一つのReRAM(抵抗変化型メモリー)を開発したと発表した。... NAND型フラッシュメモリーの10倍以上の耐久性を実現した。 ... 東...

パナソニックは次世代記憶素子の抵抗変化型メモリー(ReRAM)の動作原理を解明し、書き込んだデータを記憶し続ける性能の劣化を抑える方法を見いだした。... この酸素の移動による空孔密度の変化が抵抗値を...

今回、温度が2ケルビン(ケルビンは絶対温度、0ケルビンはマイナス273度C)、磁場が9テスラの環境下で、電荷整列絶縁体の電気抵抗率を高い空間分解能で測定できる、走査型のマイクロ波インピーダンス顕微鏡を...

奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治教授らはバイオ技術を用い、電源を切ってもデータを失わない高性能の抵抗変化型メモリーを試作した。... 抵抗変化型メモリーは次世代の半導体メモリーとして有望な構造だが...

NAND型やNOR型の両フラッシュメモリーのようにはいかない」 ―次世代メモリーの開発が進んでいます。 ... 2012年には相変化メモリーも含めた抵抗変化型メモリーに置き換える。技術...

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