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米マイクロン・テクノロジーも広島工場で、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産を計画する。

マイクロンが2025年12月―26年2月の出荷を目指している、国内で初めてEUV(極端紫外線)露光装置を使った次世代メモリー半導体の量産に最大1670億円、同半導体を積層した先端DRA...

ASMLは1ケタナノメートル台の半導体製造に不可欠なEUV(極端紫外線)露光装置で世界シェアを独占する。... 例えば、EUVより一世代前の「ArF液浸」露光装置はニコンが世界シェアの...

半導体装置、生産性向上・微細化に商機 5G・IoT追い風 (2021/12/21 電機・電子部品・情報・通信1)

微細化需要の高まりを背景にEUV(極端紫外線)露光工程の導入拡大が見込まれる一方、EUVは従来の露光方法と比べて回路線幅のばらつきが生じやすいなどの課題がある。

【唯一の正規品】 ペリクルは、シリコンウエハーに回路を焼き付ける露光工程で回路図原版(フォトマスク)を塵などから守るニッチな製品。従来の露光方法向け製品は複数社が供給...

【横浜】神奈川大学の西久保忠臣教授はEUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを完成、22ナノメートル(ナノは10億分の1)の回路パターンを作成することに成...

東芝は次世代EUV(極端紫外線)露光装置向けの低分子フォトレジストを開発した。

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