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日本原子力研究開発機構や高エネルギー加速器研究機構の研究グループは、次世代不揮発メモリーの材料として期待される「アモルファス(非晶質)アルミニウム酸化膜」のメモリー動作の仕組みを解明し...

東京大学の尾嶋正治教授や高木英典教授らの研究チームは、電極にかける電圧の大きさで抵抗が変わる不揮発メモリー(ReRAM)内の化学メカニズムを明らかにした。... 小型で大容量の次世代不...

「次世代不揮発メモリ素子を目指した半導体ナノスピントロニクス」など4研究成果を紹介するほか、企業の技術説明会も行う。

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