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独インフィニオン、1200ボルト耐圧のSiC MOSFET EV充電器など向け（2022/4/25 電機・電子部品・情報・通信）

独インフィニオン・テクノロジーズは、1200ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「Cool...

京大、堆積酸化膜でSiC半導体の性能6倍界面欠陥・エネ損失抑える（2021/10/27 科学技術・大学）

EVなど活用期待京都大学大学院工学研究科の木本恒暢教授らは、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET...

ローム、中国VBと研究所 EV向けSiC技術開発（2020/6/23 自動車）

ロームの炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)チップなど用い、電気自動車(EV)の駆動部向けインバーターなど開発する。...

ローム、4端子SiCトランジスタスイッチング損失35%減（2019/8/29 電機・電子部品・情報・通信１）

【京都】ロームはスイッチング損失を同社従来品比35%低減した、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の新製品(写真&#...

ローム、補機電源向けSiC―MOSFET−オン抵抗を大幅低減（2016/4/21 電機・電子部品・情報・通信１）

ロームは産業機器の補機電源向けに適した1700ボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)「SCT2H12NZ=写真」を...

第58回十大新製品賞/モノづくり賞−ローム（2016/2/5 電機・電子部品・情報・通信２）

【トレンチ構造採用 SiC―MOSFET】ロームは2015年6月、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と...

ネツレンは炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を使用した高周波誘導加熱電源(写真)を開発した。次世代のパワー半導体と...

ローム、トレンチ型パワー半導体を来年から量産（2014/12/23）

【京都】ロームは2015年前半に、スイッチング時の電流損失などをシリコン製と比べ数分の1に低減できる「トレンチ型」のパワー半導体、炭化ケイ素(SiC)金属酸化膜半導体電界効果トランジス...