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記事検索結果
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こうしたスピン流と電流の相互変換現象を利用すると、磁化反転を高効率化し次世代磁気抵抗メモリーなどにつながると期待される。
ビスマス・アンチモンのトポロジカル絶縁体を用いてナノ秒(ナノは10億分の1)の磁化反転に成功した。... 素子は1000ナノ×800ナノメートルと大きいが、1ナノ秒のパルス電...
大型放射光施設(SPring―8)で磁石が外部磁場に負けて、微細組織の磁化方向が反転する瞬間を捉えた。材料組織のどこから磁化反転が始まるか見えるため、磁石の弱点を特定できた。... 結...
理化学研究所創発物性科学研究センター強相関量子伝導研究チームの茂木将孝客員研究員、十倉好紀チームリーダーらは、東京大学、東北大学と共同で「トポロジカル絶縁体」と強磁性絶縁体の積層構造に電流を流すと、磁...
低電力で磁化反転が可能な新しい強磁性材料の開拓や素子構造の探索が加速する。 ... だが従来は大きな電流密度が磁化反転に必要であることが課題だった。 ... さらに...
外部から磁場をかけながら、磁化の向きの違いをはっきり記録する磁気アシスト記録を用いた。... 中村准教授らは、磁気ホログラム記録時の磁化反転に必要な浮遊磁界の大きさを測定。
薄い金属の磁石層(記憶層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒(ナノは10億分の1)程度の時間電圧パルスをかけると、磁化反転が起こる。
電流がつくる磁場で情報を記録する初代のMRAMに対し、日本は2000年代初頭から、次世代の「スピン注入磁化反転型」MRAMの開発を加速してきた。... これらは、基本構造となる磁気トンネル接合(...
スピン偏極光電流を用いた磁化反転などを利用することで、省電力の磁気メモリーデバイスや高速磁気情報制御の実現などが期待できる。
研究グループは、新しい「スピン軌道トルク磁化反転方式」を考案し、その動作を実証した。... 近年、磁性体の磁化の向きで情報を記憶する磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)が実用化され...
物質・材料研究機構と富士通研究所(川崎市中原区)は12日、スーパーコンピューター「京(けい)」を活用した世界最大性能の磁化反転シミュレーターを共同で開発したと発表した。...
薄い金属磁石層(記録層)を持つ磁気トンネル接合素子(MTJ素子)にナノ秒程度(ナノは10億分の1)の短い時間電圧パルスをかけると、磁化反転を誘起できる。
産業技術総合研究所は、高周波電圧をかけて金属磁石材料の磁化の向きを反転させるために必要な磁界を80%以上小さくする技術(磁化反転アシスト技術)を開発した。... これを利用し、...
東北大学はNECの試作協力で、スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合(MTJ)素子と、相補型金属酸化膜半導体(CMOS)技術を組み合わせた論理混載用1メガ不揮発性メモリー...
物質・材料研究機構磁性材料ユニットの林将光主任研究員らの研究チームは、東北大学などと共同で、ナノメートルサイズ(ナノは10億分の1)という極薄の強磁性金属層を非磁性金属層と酸化物層で挟...
スピン注入磁化反転型磁気トンネル接合素子(MTJ)を使うことで、最高5ナノ秒という高速で回路の書き換えができることを確認した。
記録媒体に磁化反転が発生しない弱い磁界をかけた状態で、媒体に近づけた素子をスピントルク発振させると、媒体の磁化が局所的に反転し、情報が書き換えられる。
磁性材料に電流を流すと、磁化の方向が変わるスピン注入磁化反転方式を使う。磁界で磁化を反転する現方式に比べて低消費電力で、半導体プロセスと整合性が良いため、記憶素子の微細化を進めやすい。 ......
磁化の向きを固定する新材料の垂直磁化膜と組み合わせれば、約10ギガビット(ギガは10億)の大容量MRAMが実現できるという。... 開発したのは、電流で生じる「スピントルク磁化反転」で...
九州大学の能崎幸雄准教授は、1秒間に10億回以上の割合で強度が周期的に変化する「マイクロ波磁界」を使い、ハードディスク(HD)の大容量化に不可欠な垂直磁化膜を磁化反転することに成功した...
