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記事検索結果
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次世代磁気抵抗メモリーの物質設計の加速が見込める。 ... スピン軌道トルク(SOT)方式の低消費電力の磁気抵抗メモリーの高温での性能改善に寄与し、IoT(モ...
けん引役は、スマートフォンや自動車向けが堅調なトンネル磁気抵抗素子(TMR)センサー。
東北大学の深見俊輔教授と五十嵐純太学術研究員(研究当時)、陣内佛霖助教(同)らは、使用条件に応じた磁気トンネル接合(MTJ)素子の設...
産業技術総合研究所の日比野有岐研究員、谷口知大研究チーム長は、低消費電力で高速の書き込みが可能な次世代の不揮発性メモリーである「磁気抵抗メモリー(MRAM)」向けの材料として、タングス...
スピン半導体を使い、これまでに人工知能(AI)向けや車載用、磁気抵抗メモリー(MRAM)を積んだLSIなどを開発。
磁気抵抗メモリー(MRAM)開発のスタートアップ、パワースピン(仙台市青葉区、福田悦生・遠藤哲郎共同代表取締役)は2025年をめどに米国や台湾など海...
SynRMは固定子の磁力と、モーター回転部分の鉄心の磁気抵抗の差から生じる磁極との相互作用で、トルク(回転力)を生み出す。
東北大学の水上成美教授と一ノ瀬智浩研究員(現産業技術総合研究所研究員)らは大きな磁気抵抗を示すコバルト・マンガン鉄合金を発見した。... 磁気抵抗メモリー(MRAM)や...
またトンネル磁気抵抗素子(TMR)センサーを25年3月期に23年3月期比で約2倍に増産し、センサー事業の成長ドライバーに位置付ける。
物質・材料研究機構(NIMS)のトーマス・シャイケNIMS特別研究員と介川裕章グループリーダーらは、631%の磁気抵抗変化比率を持つトンネル磁気抵抗(TMR&...
【京都】サンコールは電動車向けに、電流検出精度を高めた磁気式電流センサーを開発した。米スタートアップ、クロッカス・テクノロジー(カリフォルニア州)と共同で基幹部品となるトンネル磁気抵抗...
こうしたスピン流と電流の相互変換現象を利用すると、磁化反転を高効率化し次世代磁気抵抗メモリーなどにつながると期待される。
次世代磁気抵抗メモリー(MRAM)に用いる際に素子への書き込みを歪みでアシストできる可能性がある。... マンガン・スズを引っ張ったり圧縮したりと力をかけながら磁気電気特性を計測した。...
反強磁性体は素子から磁場が漏れず高密度に集積できるため、高速高集積低消費電力の次世代磁気抵抗メモリー(MRAM)につながる。 ... 磁極の向きが...
東京工業大学のファム・ナムハイ准教授とNHK放送技術研究所の宮本泰敬主任研究員らは、低電流密度で高速書き込みが可能な磁気抵抗メモリー(MRAM)の候補材料を開発した。... 次世代のス...
実際にキラル分子を強磁性体のニッケル上に並べると、スピンの偏極が磁気抵抗効果を発現して電気抵抗が変化した。磁場をかけると抵抗が上がるか下がるかは、キラル分子が右巻きか左巻きかで決まっていた。
実際に酸化鉄のヘマタイトの原子磁場を撮影し、温度によって転移して磁気パターンが切り替わる様子を捉えられた。 ... 電子顕微鏡は2―3ケタほど分解能が高く、原子レベルの磁気パターンが...
巨大磁気抵抗素子という高感度センサーで、反磁性の磁場が広がり外部磁場と垂直になった磁界を捉えた。
