有機TFT高性能化 2024年は4年に1度のオリンピックがパリで開催される。... 従来の有機TFTは、駆動電圧が数十ボルトと高く、電荷の流れやすさの指標である移動度も、これまで主流...

電池や磁石、触媒など分野を超えて物質構造データを持ち寄り、人工知能(AI)技術で類似度マップを作る。... 参加者は、材料のX線回折(XRD)とX線光電子分光(...

ポーラロンが形成されると、電荷キャリアは安定化して動きにくくなり、移動度が低下する。だが、これまで実験による直接的なポーラロン形成は報告されておらず、ペンタセンのような高移動度の有機半導体でも確認され...

高いキャリア移動度のp型、n型有機半導体の薄膜単結晶と導電性カーボン、プロセス耐性と絶縁性を持つ高分子材料とを組み合わせ、有機トランジスタによる回路を作製した。

研究グループは、高いホール移動度の半導体特性を持つ有機材料のベンゾチアノベンゾチオフェン(BTBT)骨格に極性水素結合ネットワークを導入。

トランジスタの電界効果移動度は1ボルト秒当たり20平方センチメートルに向上した。

ロームの650ボルト耐圧GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)「GNP1150TCA―Z」が、デルタ電子の急速充電タイプACアダプター「C4 Duo」に採用された。

ヒ素化タンタルは電子移動度がシリコンの1000倍と高く、量子デバイスの材料候補になっている。 ... すると5対5と変わらない電子移動度だった。

さらにグラフェンのトランジスタを作製し、UVテープの転写膜により高い移動度が得られることも確認した。

FETで電力損失を低減するには、電荷の流れやすさを表す「移動度」が高いことが望まれる。しかし、従来のダイヤモンドFETは、ダイヤモンド本来の移動度の10分の1以下の移動度しか発揮できなかった。 ...

電子の移動度や有効質量、エネルギーバンドの特徴といった半導体の基本特性を維持しながら、スピン分裂を自発的に誘起し、その大きさを変調できれば、電気的特性と磁性を組み合わせた次世代のスピントロニクスやトポ...

高い移動度を持ち、高温動作が可能なn型チャネルの半導体特性を確認した。

横型MOSFETの最大ドレイン電流は1ミリメートル当たり300ミリアンペア以上で、炭化ケイ素に匹敵するチャネル移動度を達成した。

研究チームはインジウムリン系の高電子移動度トランジスタを使ったテラヘルツ波検出素子において、新たな検出原理「プラズモニック3次元整流効果」が発現することを発見。

東京大学の岡本敏宏准教授(現東京工業大学教授)、竹谷純一教授らは、高い電子移動度を持ち、大面積に塗布可能なn型有機半導体を開発した。... 既存のn型有機半導体の結晶構造を保ちつつ、従...

半導体に用いるシリコンはナノシート化すると、電子の移動度が低下して性能が劣化する。移動度の高い層状物質を使うことで性能の改善が見込める。

また熱アニールにより厚さ5ナノメートル以上では結晶化や高い電子移動度の実現に成功した。高透過率や高電子移動度などの電気・光学特性の大幅な増大や折り曲げできる新規の機械特性、高熱伝導など熱特性の大幅向上...

窒化ガリウム(GaN)を用いた高電子移動度トランジスタを採用することで小型化につなげるとともに、高効率・低待機電力を達成した。... 電子を高速に移動できるGaNパワー半導体などにより...

JDIではeLEAPやHMO(高移動度酸化物半導体)など6分野を成長ドライバーと位置付け、中長期の飛躍を目指す。

同社初となるSiP製品、パワーステージICは650ボルト耐圧のGaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)と同HEMTを最適に駆動させる専用ゲート駆動IC、周辺部品を一つのパッケージに同...