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記事検索結果
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これによって絶縁破壊後の電気伝導パスに加え、絶縁破壊直前のリーク電流の増加領域を表し、キャパシタ内の広い範囲で抵抗が変化していることを解明した。 二酸化ハフニウム系強誘電体は保持電界...
1ミリメートル当たり40キロボルトの絶縁破壊強度を持ち、従来品より被覆層を薄くしても性能を確保できる。... 高圧ケーブル向けシリコーンゴムの絶縁破壊強度を同社従来品(1ミリメートル当たり26...
ダイヤモンドの炭素をケイ素とつなげて絶縁層を形成した。... 【用語】ダイヤモンド半導体=絶縁破壊電界強度や熱伝導性、キャリア移動度などの物性値が優れ、究極の半導体材料とされる。
絶縁破壊電圧は1700ボルトと大きく、500度Cの電流値は100万倍のオンオフ比を実現した。... ここで微量のシリコンを添加すると絶縁体の窒化アルミが半導体になる。... トランジスタの絶縁破壊電圧...
SiCは原子間の結合力が強く、絶縁破壊や高温に強い半導体材料で、高性能パワーデバイスの材料として期待されている。
炭化ケイ素(SiC)は絶縁破壊電界強度がシリコン(Si)の10倍、バンドギャップが同3倍などの特性を持ち、Siの限界を超えるパワーデバイス用材料として期待される。......
長時間安定/短距離で絶縁 「地上の太陽」核融合発電では、磁力線のカゴにプラズマを閉じ込めるが、それだけではまだ太陽にはなれない。... 特に、100万ボルトの絶縁には大気中...
絶縁破壊を検知する部分放電検出センサーや、電力機器の負荷状況を監視する複合環境センサーなどを活用する。
粒子を摩擦帯電させた状態で衝突させると、板の表面でプラズマが発生して粒子が形成され、目標基板の表面に着地して絶縁破壊電界強度の高い薄膜を高速で成膜すると考えられる。絶縁破壊電界強度20メガボルト&#x...
“高電圧”を出力して絶縁物に流れる電流を計測することで絶縁破壊の有無を確認したり、絶縁抵抗値が基準以上かどうかを確認したりするため、この二つは同じ筐体に入れやすい。... 絶縁物に電圧を印加する際、経...
高いバンドギャップや絶縁破壊電界が大きいなどの特性から、シリコンや炭化ケイ素(SiC)に代わる低損失の次世代パワー半導体材料として期待されているという。
一般的にフィルムコンデンサーには、局所的に絶縁破壊しても周辺の金属電極の蒸発によって瞬時に自己回復する機能を持つ製品がある。
ダイヤモンドは、パワーデバイス材料の中で最も高い絶縁破壊電界とキャリア移動度、熱伝導率を持つ究極のパワーデバイス材料だ。
これに対して絶縁性で柔らかいシリコーンゴム樹脂に、熱伝導率の高い無機粒子を充填材のフィラーとして混合した材料などが、機器の熱制御デバイスに活用される。... 配向性を高めるには高い電場が必要だが、絶縁...
絶縁破壊電界強度は2500キロボルト/センチメートル以上になる。... 薄膜ではアルミナのナノ粒子が緻密に結合しており、アルミナの塊に比べて20倍以上の絶縁破壊電界強度になる。 &#...
今回、CNTの整列精度を高める製法を導入するとともに、半導体の性質を持たない金属CNTを100%近く除去する電気絶縁破壊を取り入れ、半導体CNTだけでトランジスタを作り上げることができた。&#...
先進パワーエレクトロニクス研究センターの福田憲司総括研究主幹、米澤喜幸超高耐圧デバイスチーム長らは、SiC半導体を使って独自構造の絶縁ゲートバイポーラ・トランジスタ(IGBT)を開発し...
銅箔回路と絶縁層、アルミニウム板の3層で構成する。... 絶縁性は絶縁層の厚み0・15ミリメートルで絶縁破壊交流電圧7キロボルト。また曲げても絶縁層の割れなどが起こりにくい。
