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記事検索結果
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高電圧・大電流に適したGaNの縦型導電が可能で、放熱性の高い導電性基板に接合することもできるようになる。... 信越化学の山田雅人理事は「縦型GaNが今回の技術で実現すればSiCに比べても安価にできる...
名古屋大学の天野浩教授らの研究グループは22日、次世代半導体材料として期待される窒化ガリウム(GaN)にイオンを注入して高品質の「p型GaN」を作製する手法を開発したと発表した。GaN...
縦型で高出力・高周波用途開拓 豊田合成が、2020年代前半の量産化を目指して窒化ガリウム(GaN)のパワー半導体を開発中だ。... 「既にSiCや横型のGaNデバイス...
そこで豊田合成が採用したのが、基板に対して垂直方向に電気を流す「縦型」構造だ。縦型はチップ全体に電気を流せる。... 豊田合成は今春、縦型GaNの試作品を出品したところ半導体デバイスメーカーや車載部品...
電流を基板に対して垂直に流す「縦型」のGaNを採用し、大電流化と高周波を両立させた。... 縦型GaNが実用化すると電力変換器の小型化や高効率化、電源機器の高出力化などが期待できる。... 同社はこの...
天野教授のノーベル賞受賞につながった青色発光ダイオード(LED)には、GaNが使われている。GaNはLEDなど発光素子への応用だけでなく、高効率で高電圧、大電流を制御するパワーデバイス...
これにより1・5ミリメートル角のサイズで、基板に対して垂直に電流を流す縦型GaNトランジスタで20アンぺア超の電流動作を実証した。 ... これまではGaN製MOSFETの素子で動作...