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記事検索結果
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らせんを利用すると記憶素子を小型化でき、高密度大容量のメモリー開発につながる。 ... 右巻きと左巻きをデジタルの0と1に対応させて記憶素子として活用する。... らせん磁性は素子の...
4・5ナノメートル素子では1ボルト以下、10ナノ秒の電圧パルスで書き換えられた。AIデバイスで演算に記憶素子を使うなど、高速にデータを更新する用途に向く。欲しい特性に対してMTJ素子の膜厚や積層回数の...
日比野研究員らはアモルファス新合金からなる微細配線上に、記憶素子(MTJ)を置いたスピン軌道トルク型(SOT)MRAM素子を試作した。
スマートフォン(スマホ)やデータセンターの記憶装置として使うフラッシュメモリーでは、容量拡大のために記憶素子を縦方向に積み上げる3次元化が進展。
21世紀に入ってデジタル・フォレンジック(記憶素子に残されたデータから犯罪を捜査する手法)のような分野も本格化している。
MRAMの記憶素子は、2層の磁石間に薄いトンネル層を挟んだ磁気トンネル接合素子である。... 現在、この記憶素子に電流を流すことで情報の読み込みと書き込みを行うSTT―MRAMが主流であり、システムL...
記憶素子の書き換え速度をピコ秒台(ピコは1兆分の1)と高速化できる。... 反強磁性体のマンガン・スズ金属間化合物で4マイクロ×32マイクロメートル(マイクロは100...
3次元NAND型フラッシュメモリーでは記憶素子を垂直方向に積み重ねる積層化が進展し「エッチングや成膜技術の向上が必要になる」(同)という。
酸化チタンという安価で安全な元素で光記憶素子を作製できる可能性がある。 ... 今後、最安定相と準安定相の性質の差やスイッチング速度を明らかにして記憶素子などへの可能性を探る。...
待機電力を大幅減 東京工業大学のファム・ナムハイ准教授は米カリフォルニア大学ロサンゼルス校と共同で、不揮発性メモリーの大容量化につながるスピン軌道トルク磁気抵抗メ...
C60でスイッチ素子 【電荷容量の限界】 最新ロジック半導体は最小加工寸法5ナノメートル(ナノは10億分の1)で製品化され、半導体メモリーも積層化で...
今注目されるデジタル変革(DX)や人工知能(AI)は、CPUの高速化や記憶素子の大容量化があって実現しているが、それを支えるのはナノ(10億分の1)スケ...
1ケタナノメートル世代(ナノは10億分の1)の集積回路に対応した磁気抵抗メモリー(MRAM)用記憶素子を開発した。
東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...
単結晶を利用することで記憶素子の微細化と高性能化が期待される。 ... 貼り合わせて記憶素子を作り込んだ後も単結晶を維持していることを電子線回折で確認した。... 単結晶で製作するこ...
キオクシア(旧東芝メモリ)は記憶素子(セル)を垂直に積層する3次元(3D)構造のNAND型フラッシュメモリーの大容量化につながる半円形構造のセルを開発し...
理化学研究所創発物性科学研究センターの于秀珍(う・しゅうしん)チームリーダーらは、新規磁気記憶素子の開発につながる「磁気渦構造」の観測に成功した。... 物質内の磁気構造に関する研究の...
