三菱電機の半導体・デバイス第一事業部の楠真一事業部長は、SiCパワー半導体の強化について、こう説明する。 ... 半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジス...

物質・材料研究機構の廖梅勇主席研究員らは、世界初となるn型チャネル動作によるダイヤモンド製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... p型とn型がそろうこ...

三菱電機は23日、同社従来製品比で約60%小型化したパワー半導体モジュールの新製品6製品のサンプル提供を3月25日から始めると発表した。... 自動車市場で多くの採用実績が...

(半導体メーカー大手幹部)。 ... 中でも成長著しいのはSiC半導体だ。... 同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MO...

ロームと協業、投資効率向上 カーボンニュートラル(温室効果ガス排出量実質ゼロ)の追い風もあり、車載向けなどで東芝のパワー半導体事業は伸びしろが大きい。... 「我々は...

早稲田大学の川原田洋教授と早大発ベンチャーのパワーダイヤモンドシステムズ(PDS、東京都新宿区、藤嶌辰也社長)は13日、ダイヤモンド半導体で安全性の高いノーマリーオフ動作するトランジス...

三菱電機は13日、オランダの半導体企業であるネクスペリアと、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の共同開発に向け、戦略的パートナーシップに合意したと発表した。三菱電機は同社の強みである化合...

外付けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とICパッケージを組み合わせ、小型の理想ダイオードとして使う。... 逆流した場合に電流をオフする機能を打ち消す端子を設ける...

ロームは窒化ガリウム(GaN)パワー半導体と駆動用ICを一つのパッケージに同梱したシステム・イン・パッケージ(SiP)を2種類開発し、販売を始めた。...

既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。... ...

シリコンの上にSiCを作る方法、SiCがパワー半導体と結びつく技術を約20年かけて構築し、日本の半導体企業も注目した。... 「それこそパワー半導体だ。... そのおかげで産業界がSiCの半導体ダイオ...

一般的な半導体は電流が横方向に流れるのに対し、パワー半導体では縦型となる。... パワー半導体のテストは、メモリーやロジック半導体と異なる点が多く、独自のノウハウが求められる。... ただ、ロームが1...

三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...

ロームの1200ボルトクラスのSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、650ボルトクラスのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)が、ハイコの...

英半導体・電子部品商社リバウンドエレクトロニクスの日本法人であるリバウンドエレクトロニクス(横浜市港北区、塚原雅之社長)は、半導体や電子部品の調達難などに悩む顧客に...

ショットキーバリアダイオード(SBD)と金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の650ボルトクラスと1200ボルトクラスの製品。... JPDは2021年...

東芝デバイス&ストレージ(川崎市幸区、佐藤裕之社長)は19日、2025年春に姫路半導体工場(兵庫県太子町)内で車載向けパワー半導体の後工程製造を担う新...

日立パワーデバイス(茨城県日立市、奈良孝社長)は、2026年度までに炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の生産能力を現状比3倍程度に引き上げる。... 25年度後半に量産を...

【京都】ロームは同社の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体が、独半導体メーカーのセミクロンが手がける次世代電気自動車(EV)向けパワーモジュールに採用さ...

24年度にもSiC半導体の供給は3―4車種に拡大する見通しで、青森県の工場にもSiC半導体の生産ラインを新設し、量産を始める。... SiC半導体はインバーターなどの電力変換用に使われる。... Si...