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記事検索結果
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半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RC―IGBT)のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用してい...
物質・材料研究機構の廖梅勇主席研究員らは、世界初となるn型チャネル動作によるダイヤモンド製の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。
シリコンより電力損失の低い炭化ケイ素(SiC)の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を搭載した製品も用意した。
同社は10年に、世界で初めてSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を量産したが、実はその1年前の09年、SiCウエハーを手がける独サイクリスタルを買収している。
1ナノメートル(ナノは10億分の1)世代以降で鍵となる相補型電界効果トランジスタ(CFET)を見すえた最先端の技術だ。 一方、近年は人工知能(...
ロームと協業、投資効率向上 カーボンニュートラル(温室効果ガス排出量実質ゼロ)の追い風もあり、車載向けなどで東芝のパワー半導体事業は伸びしろが大きい。... 「我々は...
ノーマリーオフはゲート電圧をかけなければトランジスタがオフ状態になる。... ノーマリーオフ動作するダイヤモンド金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を開発した。... ...
三菱電機は同社の強みである化合物半導体技術などを適用した、SiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)をネクスペリアへ開発・供給。
ヌーヴォニクスでは主に中華圏メーカーの電界効果トランジスタ(FET)などの部品を扱う。
外付けの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)とICパッケージを組み合わせ、小型の理想ダイオードとして使う。
3ナノメートルや2ナノメートルプロセスでは、現在主流の3次元構造を持つFin電界効果トランジスタ(FET)に代わり、チャネルの四つの面を囲むようにゲート電極を配置したトランジスタ「ナノ...
研究チームはマイクロ流路を備えた溶液センサーに特化した二硫化モリブデン製の電界効果トランジスタを作製。
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。
既存のパワー半導体、シリコン製金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(Si MOSFET)と置き換えると部品体積を約99%、電力損失を約55%削減できる。... ...
そのおかげで産業界がSiCの半導体ダイオード(SBD)や金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を大量に製造できた。
ただ、ロームが10年に世界初のSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の量産に成功していることや、SiCウエハーでは旧・新日本製鉄(現・日本製鉄)が多...
三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...
ロームの1200ボルトクラスのSiC金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)と、650ボルトクラスのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)が、ハイコの...
金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)といったディスクリート(個別)半導体やコネクター、コンデンサーなどを用意する。
