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【高速・高温動作】 SiCパワーデバイスの特徴は、低抵抗、高速で、高温でも動作し、オン抵抗、動作損失を抑えた小型で高パワー密度のモジュールが可能となる。そのため、単純な置き換えでも低...

酸化物セラミックス系電解質で絶対に燃えず、熱に強く、高温動作や表面実装可能。

したがって、光源と光増幅器を低消費電力にし、かつ高温動作を可能にすることは、光通信技術において実現要求が高い研究開発項目であると考えられる。 ... さらに、これを応用した半導体レー...

通信機器向け規格「NEBSレベル3」準拠の高温動作に加え、耐振動・耐衝撃性や先進的なセキュリティー機能、遠隔管理機能などを備える。

量子コンピューターの高温動作や量子暗号通信の長距離化にもつながる。 ... InAs自己形成量子ドットは複雑な電圧操作なしで動作し、半導体レーザーなどで応用されている。

同粒子を制御できれば、ノイズに強く高温で高速計算できる量子コンピューターの実現が期待できる。 ... 従来の期待より高温の5ケルビンで観測できたため、応用時に高温動作が期待できる。

OKIエンジ、水はね試験の一括受託開始 国際規格など対応 (2018/2/9 電機・電子部品・情報・通信2)

スプラッシュウォーター衝撃試験は、100度Cの高温環境で規定時間動作させ、その後20秒以内に0―4度Cに冷却した4種類の専用溶液をかける動作を100回繰り返す。OKIエンジニアリングは真水やアリゾナ泥...

指月電機製作所との共同出資会社では高耐熱のフィルムコンデンサーを量産し、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の高温動作に対応する」 ―電池事業は2―3年後をめどに、営業損益の黒字転換を目...

半導体熱研究所、パワー半導体向けに高効率放熱基板 (2017/6/1 モノづくり基盤・成長企業)

炭化ケイ素(SiC)半導体や窒化ガリウム(GaN)半導体の高温動作時でも、高い放熱性を実現する。... モジュールの動作温度が300度Cの高温となっても熱伝導率の低下を抑えることができる。 &...

融点も約960度Cと高く、既存のハンダが使えない高温動作のパワー半導体などで使用できる。

【絶縁材高度化】 半導体デバイスを用いて電力の変換・制御を高効率で行うパワーモジュールの重要性は高まり、ハイブリッド車や電気自動車の普及に伴って高出力密度化、高温動作化の傾向にある。

高温試験中に起こる現象を常時評価できる計測システムの需要は拡大すると見て、企業や研究機関などに売り込む。 ... ホルダーは高温で酸化する金属でなく熱に強いセラミックスを採用。......

仕様温度範囲はマイナス40度―プラス105度Cで、プラス側の高温動作範囲を20度C高められた。... CCタイプは従来の半導体導通試験用「ICテスタ」やウエハー段階の検査治具「プローブカード」に加え、...

現段階で鉛含有高温ハンダに匹敵する接合強度をラボレベルで達成。... 現在のパワーデバイス材料はSi(シリコン)だが、より電力損失の少ないSiC(シリコンカーバイド)に代われば「高温動作対応の接合材料...

量子ドットレーザーは荒川泰彦東大教授らが提案した3次元ナノ構造の量子ドットを活性層に用いた半導体レーザーで、低閾(しきい)値電流、小さな温度依存性、高温動作など多くのユニークな特徴がある。 &...

従来の半導体レーザーに代わり、量子ドットレーザーを光源に使うことで、LSIの使用環境が要求する125度Cまでの高温動作を実証。... 高温動作に優れる量子ドットレーザーを搭載することにより、室温の25...

半導体素子の素材を従来のシリコンから低抵抗で高温動作可能のSiCにすることで、ブレーキ時に発生する回生電力量を30%程度増大。

SETの中でも自己形成による半導体量子ドットSETは高温動作が可能だが、微小なためその特性の制御が難しかった。

今回、活性層の材料を従来のインジウム・ガリウム・ヒ素・リンから、高温特性に優れるインジウム・ガリウム・アルミニウム・ヒ素に変え、95度Cまでの高温動作に耐えられるようにした。

最大光出力150ミリワット、60度Cの高温動作も業界で高い水準。

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