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本特集では次世代半導体として注目されるSiC(炭化ケイ素、シリコンカーバイド)、GaN(窒化バリウム、ガリウムナイトライド)、酸化ガリウム、ダイヤモンドといった材料の最...

炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)、酸化ガリウムを基板に使い、接続部の温度が高くなる次世代パワー半導体などでの使用を見込む。... SiCやGaN、酸化ガリウ...

サムコ、工程モジュール3室搭載 電子デバイス製造クラスターツール (2021/12/14 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】サムコは13日、窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)パワーデバイス向けなど、非シリコン材料を用いた電子デバイスのエッチング...

SiC基板上にSiCのダイオードを作り、その上にGaNでトランジスタ構造を作った。... GaNトランジスタはノイズの逃げ場がなく、素子が破壊される課題があった。... 素子作製にあたりSiCとGaN...

三菱ケミと日本製鋼所、4インチGaN結晶の成長確認 (2021/11/24 素材・医療・ヘルスケア)

三菱ケミカルと日本製鋼所は、4インチサイズの窒化ガリウム(GaN)結晶(写真)の成長を確認した。両社は新しい低コスト製造技術を用いて、パワー半導体向...

シリコン(Si)や窒化ガリウム(GaN)、炭化ケイ素(SiC)などの半導体ウエハーに対応。

STマイクロエレクトロニクス、パワー半導体 日本で攻勢 (2021/10/27 電機・電子部品・情報・通信1)

「SiCやGaN(窒化ガリウム)の素子に力を入れている。... GaNはまだ開発中で、より高速なスイッチングが要求される用途で今後使われるはずだ。

三桜工業は、窒化ガリウム(GaN)などの次世代パワー半導体基板の受託加工サービスの試験展開を始めた。... GaNと合わせて「難加工基板」と言われる窒化アルミニウム(...

高分解能化が進む オシロスコープ (2021/9/17 特集・広告)

■メーカーの対応 岩崎通信機は次世代半導体の炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などのパワーエレ分野に注力している。

例えば窒化ガリウム(GaN)や炭化ケイ素(SiC)などパワー半導体を活用することでモーター回転時の応答性が向上する。

また長年研究してきた大口径の窒化ガリウム(GaN)単結晶基板は、22年度の供給開始を目指し、いよいよ量産間近となった。GaN単結晶基板は、パワー半導体の機能向上に役立つと期待されている...

ダイヤモンドウエハーを用いたパワー半導体は、シリコンや窒化ガリウム(GaN)を用いた場合と比較し、高出力で放熱性に優れてており、6G用通信基地局や電気自動車(EV)の電...

【2000℃以上】 東洋炭素はシリコンや炭化ケイ素(SiC)単結晶製造工程向けのほか、ウエハー上に窒化ガリウム(GaN)層を製膜する際に使用する「MO...

発光ダイオード(LED)では、この転位は機能を大きく阻害しないためGaNの発光応用を実現する上で障壁にならなかった。... GaNデバイスを3度の傾斜で削れば、深さ方向は約20倍に拡大...

【浜松】浜松ホトニクスは7日、次世代パワー半導体材料である窒化ガリウム(GaN)など化合物半導体結晶の品質定量評価装置「ODPL測定装置C15993―01=写真」を開発、8月2...

ニチコン、アルミ電解コンデンサー 125℃・3000時間保証 (2021/6/29 電機・電子部品・情報・通信2)

過酷な条件下で設置される基地局や再生エネ分野の機器は、炭化ケイ素(SiC)や窒化ガリウム(GaN)などパワー半導体の採用が進む。

青色LEDはGaNの高品質な結晶化によって実現した。... CIRFEは19年、GaNの次世代半導体を使用した車載トラクションインバーターを用いた電気自動車(EV)「オールGaNビーク...

パワー半導体向け量産 住友化学は5年後をめどに気相成長(HVPE)法による窒化ガリウム(GaN)単結晶基板の売上高を現在の3倍強の...

富士通ゼネラル、GaN―FET搭載の小型パワーモジュール (2021/6/16 電機・電子部品・情報・通信1)

子会社の富士通ゼネラルエレクトロニクス(岩手県一関市)がGaNデバイスメーカー大手、米トランスフォームの高耐圧性GaN―FETチップを搭載したモジュールを開発した。... サンプル価格...

大口径GaN基板が量産化されると、GaN基板上にGaN結晶を成長させ、より結晶欠陥の少ない基板を用いて高性能なパワー半導体を生産できるようになる。 このGaNオンGaN基板は、次世代...

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