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三菱電機、パワー半導体にSiC採用 xEV向けサンプル出荷 (2024/2/22 電機・電子部品・情報・通信2)

半導体素子として、シリコンの逆導通型絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(RC―IGBT)のほか、SiCの金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用してい...

ニッポンの素材力 トップに聞く(4)住友ベークライト社長・藤原一彦氏 (2024/2/15 素材・建設・環境・エネルギー2)

セラミックスの代替として、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)などへの採用が見込める。

IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)だけでなく、モーターやインバーター、ギアを一体化したEV駆動装置「イーアクスル」などの検査も想定し、対象物の大きさ別に3タイプを展開する。...

大電流・高電圧に強いパワー半導体のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ)では14%に達する。 ... 日立パワーデバイスもIGBTで従来と比べ高性能...

ミネベアミツミは買収を通じ、電気自動車(EV)向けに需要が増加しているIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)の強化を図る。... 今回の買収でミネベアミツミはI...

ルネサスの通期予想、売上高2.5%減 車の在庫削減が影響 (2023/10/27 電機・電子部品・情報・通信)

絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を中心とするパワー半導体に関しては「短期的には少し落ちる」(柴田英利社長)と想定。

激動の経営/キラ・コーポレーション(3)ターゲットは半導体 (2023/7/18 中小・ベンチャー・中小政策)

車体軽量化に伴う材料の変化のほか、シリコン(Si)製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体需要の拡大を見据えたマシン開発を推進する。

EVで一般的なシリコン(Si)製の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)などのパワー半導体の量産を25年に始める。

ローム、独社にIGBT供給 (2023/5/18 電機・電子部品・情報・通信2)

ロームは1200ボルト耐圧の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)「RGAシリーズ」が、独セミクロンダンフォス(ニュルンベルク市)のパワーモジュール製品に採用され...

自社設計したシリコン(Si)製絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を国内の提携先で生産する体制を構築している。22年に予定していたIGBTのサンプル出荷は、予定...

ディスコはSiCウエハーをレーザーで効率的に切り出す装置やIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)向けにウエハーの外周を残して薄く研削できる装置などを手がけ、これら装置を含む「そ...

足元ではアナログICやDC/DCコンバーターなどの電源系部品、SiCやIGBTといったパワー半導体が需要に対し不足している。

「伸ばすのは車載電源や、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)など。

ローム、パワー半導体が日立アステモのEV部品に採用 (2022/12/23 電機・電子部品・情報・通信)

車載インバーターへ搭載した場合、従来の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)と比べて電力消費を6%減らせるという。

東レエンジMI、チップ外観検査機投入 車載用パワー半導体向け (2022/12/14 機械・ロボット・航空機1)

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)や炭化ケイ素(SiC)の車載用パワーモジュールの世界市場は、25年まで年率20%で拡大が見込まれている。

SEMITEC、薄膜サーミスタ増産 13億円投資、千葉工場能力2.5倍 (2022/9/27 電機・電子部品・情報・通信1)

糖尿病患者の血糖値を常時測定する高性能な測定器や、電動車のエネルギー効率向上に貢献するパワー半導体の絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)向けの温度センサーとして需要が増えている...

現状、EVインバーター向けなどのシリコン(Si)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やエアコンDCモーター駆動用「高圧IC」の需要が高まっており、生産能力が不足...

ルネサスエレクトロニクスは30日、電動車用インバーター向けパワー半導体として、シリコン(Si)絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)新製品&#...

電動車両の普及などを背景に、モーターの回転速度を効率良く制御し省エネに貢献するIGBTの需要が広がっている。 ... 21年にオムロンから買収したMMIセミコンダ...

脱炭素社会の実現に向けて、電気自動車(EV)用をはじめ、高効率なパワー半導体の需要が一段と高まることを見据え、甲府工場に現存する建屋を有効活用して、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ&#...

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