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3次元の振動を吸収する独自の「Z―Move(ジィームーブ)」技術を、コネクター底部にIGBT端子を差し込むボトム嵌合構造で実現した。... IGBTはハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)の駆動用...

サキコーポ、X線検査装置生産3倍 新工場4月稼働 (2020/3/2 機械・ロボット・航空機1)

200キロ電子ボルトの高出力型を品ぞろえし、ハイブリッド車(HV)や電気自動車(EV)に使われるIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)向けを狙う。

展望2020/富士電機社長・北沢通宏氏 インド事業、300億円も可能 (2020/1/23 電機・電子部品・情報・通信2)

初めて車載用IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)に参入しようとしていて、生みの苦しみがある。

三菱電、電力損失40%減のパワー半導体 (2019/12/30 電機・電子部品・情報・通信)

高速スイッチング仕様の逆導通絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(RC―IGBT)がモーターの騒音抑制にも役立つ。

三菱電、低ノイズ・低電力損失のパワー半導体モジュール (2019/8/29 電機・電子部品・情報・通信2)

同シリーズは新開発のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)を採用した。

富士電機は第4世代直接水冷モジュールと、ダイオードと一体化したIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)製品で差別化する。

富士電機、風力向けIGBTモジュール 175度C耐熱 (2019/8/2 電機・電子部品・情報・通信1)

富士電機は大規模風力発電向けに、連続動作時の最高保証温度を従来比16・7%増の175度Cまで向上した1700ボルト耐圧のIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)モジュール(写真)のサンプル出荷を始...

心臓部のトランジスタは高周波向けには炭化ケイ素(SiC)を、低周波向けには絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)を搭載。

高周波であるメーンの110キロヘルツは、パワー半導体に使われる絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の接合で素子破壊を起こしにくい。

富士電機、新パワー半導体モジュール出荷 4割小型化 (2018/9/5 電機・電子部品・情報・通信2)

これまで電気のスイッチングを担うIGBT素子と還流機能を持つダイオード素子をワイヤでつないで基板に組み込んでいたが、機能を集約した一つの素子を開発。... サンプル出荷を始めた産業機器用RC―IGBT...

三菱電機常務執行役に聞く、国内首位のパワー半導体戦略 (2018/8/22 電機・電子部品・情報・通信2)

22年に向け『第7世代IGBTモジュール』の生産量を倍増する計画だが、めどはついている。

三菱電、独子会社へ半導体チップ供給増 欧シェア拡大へ (2018/7/25 電機・電子部品・情報・通信2)

併せて、最新世代のパワー半導体である第7世代絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(IGBT)の生産能力を、22年をめどに増やす。

ローム、IGBT量産 産機の省エネ向上 (2018/4/17 電機・電子部品・情報・通信1)

【京都】ロームは産業機械や家電などの省エネ性能を高められる絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT、写真)を開発し、量産を始めた。... IGBTは大電力を制御するパワー半導体の一つ。... ローム...

N700系は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)素子を採用したが、発熱を抑え、高温でも動作できるSiC素子への変更を決めた。

近年は絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)などの利用が進むが、コストの面ではサイリスタが優位だ。

同社は高耐圧対応のIGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)で世界シェア3位と強く、自動車の電動化は当該事業の成長を支えよう。

キューヘン、電圧変化に高速応答する電圧調整機器を開発 (2018/2/6 モノづくり基盤・成長企業)

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のインバーターを採用。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)やパワーダイオード向けに、国内のパワーデバイスメーカーに提案する。

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は車載に加え、社会インフラ機器や鉄道向けに注力する」 ―民生品市場も堅調に推移する見通しです。 「ディスクリート(個別半...

主に車載充電器や(駆動用モーターを制御する)トラクションインバーターなどに使われる」 【記者の目/シリコン製から置き換え強化】 SiC―MOSF...

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