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FLOSFIA、MOSFET試作 素子性能、SiC製の2倍超 (2020/1/16 電機・電子部品・情報・通信2)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)を試作した。2021年以降の実用化を目指す。電力変換損失を大きく低... ...ことなどで高品質化。同半導体層をmosfetに使い、安全と電力変換時の損失の低減という二つの特性を同時に実... ...ベンチャー。人羅社長は「試作したmosfetが業界標準デバイスとなることを確信している。パワートランジスタ...

オムロン、MOSFETリレーモジュール発売 漏れ電流1ピコアンペア以下 (2019/12/5 電機・電子部品・情報・通信1)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)リレーモジュール(写真)を発売した。半導体試験装置向けで計測信号...

三菱電、SiC製MOSFET開発 素子抵抗率半減 (2019/10/8 電機・電子部品・情報・通信2)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet、パワー半導体素子)を開発した。1500ボルト以上の耐圧性能も併せ持... ...での実用化を目指す。 開発したsic―mosfetはトレンチ(溝)構造を採用した。同構造は従来より多くの電流を流せ...

ローム、4端子SiCトランジスタ スイッチング損失35%減 (2019/8/29 電機・電子部品・情報・通信1)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)の新製品(写真)を開発した。端子数が4端子のパッケージを採用した。... ...た製品。チップ表面に溝を、側壁にmosfetのゲートを形成するトレンチゲート構造を採用した。データセンター...

東芝デバイス&ストレージ、ITバーチャル展に出展 (2019/8/28 電機・電子部品・情報・通信2)

...術、フォトリレー技術、最新低耐圧mosfet(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)などを展示する。モーター...

ローム、車載カメラの小型化後押し 新型トランジスタ開発 (2019/7/23 電機・電子部品・情報・通信1)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)を開発した。車載カメラの基板サイズが小さくなる中、独自工法を用... ...発したのは、車載カメラ向け超小型mosfet「rv4シリーズ」。端子の無い下面電極パッケージで、縦16ミリ×横16ミ...

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)などに注力し、20年3月期の黒字転換を目指す。 ...

ローム、SiC―MOS内蔵AC/DCコンバーターIC (2019/4/12 電機・電子部品・情報・通信1)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)を採用。一般品と比べて小型化を実現し、電力損失も28%削減できる。... ...のは「bm2scq12xt―lbz」。内蔵したsic―mosfetは1700ボルト耐圧。すでにサンプル出荷を始めており、消費税抜きのサ... ...ーicとは別に、耐圧の低いシリコン製mosfetを二つ使うため、それに合わせた周辺部品が必要だった。今回の開発...

ローム、ノイズ抑制・省エネ向上のMOSFET開発 (2019/3/15 電機・電子部品・情報・通信1)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)を開発した。mosfetが持つ低消費電力の特性をより引き出せるのが特徴... ...効果トランジスタ(mosfet)を開発した。mosfetが持つ低消費電力の特性をより引き出せるのが特徴。省エネルギー化... ...制で量産を始めた。 600ボルト耐圧のmosfet「プレストモス」シリーズに、今回の開発品を「r60xxjnxシリーズ=写真...

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)製品の温度限度より25度c高い。 ...

...エピタキシャル成長膜で構成したie−mosfetを開発し、当時の世界最小オン抵抗を達成した。その後、sicパワーデ... ...った。これによりトレンチゲート型mosfetを開発、一層の低オン抵抗を実現し企業へ技術移転した。また、オン... ...た。また、オン抵抗の低いトレンチmosfetにショットキーバリアダイオード(sbd)を内蔵したswitch−mosを開発した...

東芝デバイス&ストレージ、耐圧650VのパワーMOSFET (2018/8/22 電機・電子部品・情報・通信1)

...ーパージャンクション構造のパワーmosfet(金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)として、「dtmos vi(ディーテ...

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)の機器に比べて、高出力かつ小型軽量化が実現され、災害時などの高...

ニチコン・理研など、XFEL向けパルス電源開発 (2018/6/18 電機・電子部品・情報・通信)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)を採用して小型化。ビーム(光束)を複数本に分岐させても各ビームの...

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)を採用した。これによって電力損失低減と、1素子で大電流を対応で... ...は許容損失の大きなリードタイプのmosfetに熱対策のアルミニウムのヒートシンクを付けていたため、その分の... ...we/we2は高効率化によって表面実装のmosfetだけで済む。その結果、ヒートシンクが不要となり小型化に貢献でき...

...半導体電界効果トランジスタ(スピンmosfet)」で、スピンmosfet特有の電子の自由な動きを活用して熱の電気信号へ... ...ランジスタ(スピンmosfet)」で、スピンmosfet特有の電子の自由な動きを活用して熱の電気信号への変換に成功した... ...マグネシウムの層を設けた。 スピンmosfetは少ない電力で情報処理ができる次世代デバイス。廃熱の再利用でさ...

関西の電機メーカー、太陽光発電「自家消費」に活路 (2018/5/1 電機・電子部品・情報・通信)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)のメーカーとして、世界第3位のシェアを占める。今後のエネルギー...

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)や直流(dc)/dcコンバーターなどを試作した。パワー半導体材料には主...

ルネサス、放射線耐性GaN半導体を発売 宇宙産業向け (2018/2/14 電機・電子部品・情報・通信1)

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)に比べ性能が最大10倍高く、半導体パッケージの大きさは半分にでき...

...酸化膜半導体電界効果トランジスタ(mosfet)とダイオードの両方にsicを採用。従来、二つのチップに分かれていた...

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