三菱電機は13日、パッケージ内部でのインダクタンス(磁束変化に対する抵抗)を従来比で約47%低減した「産業用フル炭化ケイ素(SiC)パワー半...

三菱電機は8日、ショットキーバリアーダイオード(SBD)内蔵の金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)を採用した耐電圧3・3キロボルトの...

車の開発コスト減に解決策 半導体メーカー各社が電気自動車(EV)のモーター制御用インバーター向けの炭化ケイ素(SiC)パワー半導体の提案に力を注いでい...

東レは21日、シンガポール科学技術研究庁の半導体研究機関、インスティチュート・オブ・マイクロエレクトロニクス(IME)とSiC(炭化ケイ素)パワー半導体向け高放熱接着材...

三菱電機は炭化ケイ素(SiC)チップのみを使った産業機器用フルSiCパワー半導体モジュール(写真)9品種を2021年1月から順次発売する。... 新開発のSiCチップを...

【京都】ロームは、次世代材料の炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュール「フルSiCパワーモジュール」に、高温高湿の環境でも耐久性が高い機種を加えた。... 同モジュール「BS...

三社電機製作所は7月にも、次世代材料である炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュールの受注を始める。SiCパワー半導体は普及しているシリコン製と比べ、エネルギー損失が少なく高温...

三菱電機は31日、実装面積を従来比で、ほぼ半減にした6・5キロボルト耐圧の炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを開発したと発表した。... 金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ&...

熱効率に優れた炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを採用し、体積は5リットル、体積当たりの電力量を示す電力密度は1リットル当たり86キロボルトアンぺアを実現した。... SiCパ...

大阪大学産業科学研究所の菅沼克昭教授らは、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールの配線に耐熱性の優れた銀粒子を適用する技術を開発した。250度Cの熱にも耐え、印刷技術で線の幅や厚さ...

ウエハーに炭化ケイ素(SiC)を採用した次世代パワー半導体においても、他社に先駆けてモジュール製品を投入していく方針。... デバイスと機器の双方を取り扱う強みを生かし、SiCパワー半...

東レは17日、SiC(シリコンカーバイド)トランジスタ向けに感光性耐熱レジストを開発したと発表した。... 同社は2013年、SiCダイオードについての実証に成功している。今回の開発に...

三菱電機は材料に炭化ケイ素(SiC)を用いたパワー半導体モジュール3製品を発売した。... 三菱電機が発売した鉄道車両装置向けSiCパワー半導体モジュールは定格電圧1700ボルト、定格...

半導体各社が回路を焼き付けるウエハーに「SiC(炭化ケイ素)」素材を採用したパワー半導体を強化する。... 三菱電機は、トランジスタとダイオードをともにSiCでつくったフルSiCパワー...

三菱電機は1200ボルト・1200アンぺアと世界最大容量で動作する炭化ケイ素(SiC)を使ったパワー半導体モジュールを開発した。トランジスタとダイオードをともにSiCでつくったフルSi...

三菱電機は29日、炭化ケイ素(SiC)パワー半導体モジュールを搭載した数値制御(NC)装置用ドライブユニットを12月3日に発売すると発表した。

三菱電機は9日、材料に炭化ケイ素(SiC)を用いた家電製品・産業機器向けのパワー半導体モジュール5品種を開発したと発表した。SiC製のショットキーバリアダイオード(SBD...

パワーコンディショナーや工事の比重が高い。... 例えば6インチウエハーの半導体のクリーンルームは狭すぎる。... 一方でSiCパワー半導体モジュールは社内だけでなく上位顧客にも外販する。

ロームは年内に本社工場(京都市右京区)にSiCパワー半導体モジュールの量産試作ラインを設置。... ロームは本社工場をSiCパワー半導体のモジュール量産拠点に位置づける。... まずパ...

主な研究対象は給電・配電を制御する半導体部品とパワーモジュール。... SiCパワー半導体モジュールで世界初投入を目指すのがローム。... 一方、8月には三菱電機や日産自動車など9社が参加するSiCを...