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記事検索結果
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(SiC基板を供給する)米コヒレントの事業などへの出資も含め、今後のSiC事業の拡大を積極的に進める」―。... 楠事業部長はSiC半導体について「(自動車の)大電力化...
米社に出資、SiC基板確保 パワー半導体事業に力を入れる三菱電機。... 2023年にはSiCの基板を安定的に確保するため、半導体材料を手がける米コヒレントと提携するなど布石を打つ。...
原料のSiC基板から手がけており、近年は独インフィニオンテクノロジーズやローム、東芝デバイス&ストレージ(東京都港区)と相次ぎ長期供給契約を締結。... 信越化学工業はGaNエ...
炭化ケイ素(SiC)基板上に作製した同一形状のトランジスタに比べ、放熱性を2倍以上に高めた。... 研究チームはシリコン基板上にGaN層とSiCバッファ層を生成。... 今回、GaNと...
そういった産業用途と車載向けの両にらみで進める」 ―8インチSiC基板の確保に向け、半導体材料開発の米コヒレントと提携しました。 「SiCは歩留まりがほぼ100&#...
三菱電機は10日、の米コヒレントが炭化ケイ素(SiC)事業を分社化して設立する新会社に約5億ドル(750億円)を出資し、株式の12・5%を取得すると発表した。S...
EV半導体向け需要増 【名古屋】ノリタケカンパニーリミテドは、次世代パワー半導体とされる炭化ケイ素(SiC)の半導体基板やデバイスを研磨する工具「...
このほど米国企業と8インチのSiC基板を共同開発することを表明した。... コヒレントはSiC材料を長年開発しており、15年には世界初の8インチの導電性基板を実証し、19年には8インチSiC基板の提供...
27日、本社(東京都港区)でSiCエピウエハー事業説明会を開いた。SiC基板上にエピ層を成長させたSiCエピウエハーは、製造時に高温環境が必要なことなどが課題。... レゾナックはSi...
第3世代のハイグレードエピウエハーは、ウエハー品質の改善によりSiC基板内の欠陥の拡張を防ぎ、高い電流密度で電流を流した際にも高い信頼性を実現する。... SiC基板上にエピ層を成長させたSiCエピウ...
自社製SiC単結晶基板を用いて開発した。... 同社は自社製SiC基板に加え、外部から同基板を調達し、8インチエピウエハーの生産拡大や安定供給体制を構築する。... 同社はSiCエピウエハーの外販で世...
住友金属鉱山100%子会社のサイコックス(東京都港区)は、8インチ貼り合せSiC(炭化ケイ素)基板開発ラインを新設する。... 25年に既存...
昭和電工はSiC基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたSiCエピウエハーの外販で世界最大手。... 外部調達と合わせて、基板を安定的に確保し、SiCエピウエハーの供給体制を強化する。 ...
スパッタ法は成膜に応力を付与でき、大口径シリコン基板に対応できる。... 三菱ケミカルホールディングスグループや住友化学はGaN単結晶基板、信越化学工業はGaN成膜用基板に取り組む。昭和電工は炭化ケイ...
昭和電工は28日、パワー半導体向けに6インチの炭化ケイ素(SiC)単結晶基板の量産を開始したと発表した。同社は同基板上にエピタキシャル薄膜を成長させたSi...
原理上はSiC基板の一面を超電導にできる。... SiC基板の表面に炭素原子が並んだ面にグラフェンを1層形成する。ここにカルシウムを蒸着し加熱するとSiCとグラフェンの間と、SiC基板の炭素原子の層と...
産業技術総合研究所の中島昭主任研究員と原田信介研究チーム長らは、窒化ガリウム(GaN)と炭化ケイ素(SiC)を組み合わせたトランジスタを開発した。... Si...
従来のGaN結晶の基板はシリコン(Si)や炭化ケイ素(SiC)などが主だった。 ... 結晶の硬いGaNを基板にガン・オン・ガンとすることで、高電圧で...
(梶原洵子) 【走行EVを充電】 現在パワー半導体はシリコンや炭化ケイ素(SiC)基板上にGaN結晶を成長させたエピタキシャルウエハ...
