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記事検索結果
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省エネルギーなスピン移行トルク磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)の実用化につながる。 ... STT―MRAMはデータ保持のための電力が要らない。
産業技術総合研究所の日比野有岐研究員、谷口知大研究チーム長は、低消費電力で高速の書き込みが可能な次世代の不揮発性メモリーである「磁気抵抗メモリー(MRAM)」向けの材料として、タングス...
スピン半導体を使い、これまでに人工知能(AI)向けや車載用、磁気抵抗メモリー(MRAM)を積んだLSIなどを開発。同大の大野英男総長らと世界をリードしてきた技術だが、M...
磁気抵抗メモリー(MRAM)開発のスタートアップ、パワースピン(仙台市青葉区、福田悦生・遠藤哲郎共同代表取締役)は2025年をめどに米国や台湾など海...
磁気センサーや磁気抵抗メモリー(MRAM)の高度化につながる。 ... 大きな変化率を確保できると、磁気センサーの高感度化やMRAMの多値化が可能になる。
同センターの既存のスパコンに比べ、演算性能を約3倍に高めたほか、不揮発性メモリー(MRAM)の導入でメモリーの大容量化を図った。... 拡張メモリーとしてMRAMを導入し、消費電力やコ...
MRAMの記憶素子は、2層の磁石間に薄いトンネル層を挟んだ磁気トンネル接合素子である。... 近年、記憶素子に接合した配線層に書き込み電流を流す3端子MRAM(SOT―MRAM)が提案...
次世代磁気抵抗メモリー(MRAM)に用いる際に素子への書き込みを歪みでアシストできる可能性がある。... MRAMとして利用する場合、反強磁性体は従来の強磁性体に比べて100―1000...
反強磁性体は素子から磁場が漏れず高密度に集積できるため、高速高集積低消費電力の次世代磁気抵抗メモリー(MRAM)につながる。 ... 記憶素子をM...
東京工業大学のファム・ナムハイ准教授とNHK放送技術研究所の宮本泰敬主任研究員らは、低電流密度で高速書き込みが可能な磁気抵抗メモリー(MRAM)の候補材料を開発した。... 次世代のス...
半導体の1ナノメートル世代以降のオングストローム世代(オングストームは100億分の1メートル)までスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)技術を延伸できることに...
中でも、ハードディスクや磁気ランダムアクセスメモリー(MRAM)などの磁気メモリーは、電源がなくても情報を維持できる不揮発性という特長からIoT社会を支える記憶デバイスとして期待される...
内部は絶縁体だが表面に電気を通す「トポロジカル絶縁体」と、MRAMの記憶素子になる磁気トンネル接合を集積することに成功。... 実用化が始まっているスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRA...
産業技術総合研究所新原理コンピューティング研究センター不揮発メモリチームの山本竜也研究員、野崎隆行研究チーム長、湯浅新治研究センター長らは磁気抵抗メモリー(MRAM)の磁気安定性を改善...
1ケタナノメートル世代(ナノは10億分の1)の集積回路に対応した磁気抵抗メモリー(MRAM)用記憶素子を開発した。
東北大学の永沼博准教授と遠藤哲郎教授らの研究グループは、1ケタナノメートル(ナノは10億分の1)世代の集積回路に対応したスピン注入型磁気抵抗メモリー(STT―MRAM)...
同社ではCMOSイメージセンサーの下にロジック回路を、その下にMRAMを積層する構造を実現した。MRAMのコバルト鉄ボロンの垂直磁気トンネル接合(pMTJ)を工夫した。 ...
