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カーリットHD、超高平坦ウエハー増産 0.1マイクロメートル技術を確立 (2024/3/13 素材・建設・環境・エネルギー2)

高平坦ウエハーは子会社のシリコンテクノロジー(長野県佐久市)が、主に微小電気機械システム(MEMS)向けに酸化膜上にシリコン単結晶層を形成した「SOIウエハー」の基材用...

セーレンKST、福井でSOIウエハー3倍 1.5億円投じ設備増強 (2022/12/7 電機・電子部品・情報・通信2)

【福井】セーレングループのセーレンKST(福井市、亀井洋次郎社長)は1億5000万円を投じ、絶縁膜上シリコン(SOI)ウエハーの製造能力を従来比3倍に増強した。... ...

このため、JAXAでは、放射線耐性を高めるSOI(Silicon on Insulator)技術と、複数の機能を一つのチップに搭載するSoC(System...

OKIなど、MEMS端末の感度20倍 SOIウエハー接合技術確立 (2022/8/18 電機・電子部品・情報・通信1)

OKIとKRYSTAL(山口県宇部市、山口十一郎社長)は17日、圧電単結晶薄膜と絶縁膜上シリコン(SOI)ウエハーの接合技術を確立したと発表した。....

沸騰・半導体市場 素材各社の戦略(32)カーリットHD、MEMS向け (2021/12/23 素材・医療・ヘルスケア2)

MEMSには、シリコン支持基板の上に酸化膜とシリコン単結晶層を形成した「SOIウエハー」が使われる。

シリコンテクノ、MEMS向け超高平坦ウエハーを事業化 (2021/12/3 素材・医療・ヘルスケア)

シリコンテクノロジーはMEMS材料となる、酸化膜上にシリコン単結晶層を形成した「SOIウエハー」の支持基板として、4―6インチの超高平坦ウエハーを供給する。

微小電気機械システム(MEMS)分野の拡大で、厚膜を施したSOIウエハーの販売が半導体メーカーや半導体製造装置メーカーなどで増えている。5GやIoT(モノのインターネット...

モノづくり現場 生産革新・脱炭素社会への挑戦(7)SUMCO佐賀工場 (2020/12/22 建設・生活・環境・エネルギー2)

同社の全国の製造拠点では唯一、絶縁膜上シリコン(SOI)ウエハーの製造も担っている。 ... (九州中央・勝谷聡) (この項...

信越化学、GaN基板の開発本格化 高機能デバイス向け (2020/1/28 素材・医療・ヘルスケア)

信越化学はこれまでパワー半導体や高周波半導体向けに、通常のシリコンウエハーに加え絶縁膜上シリコン(SOI)ウエハーやGaN・オン・シリコンなどの基板を開発している。

同社工場の向かいには「Soi(通り)CBTact」と社名のついた通りがあり、現地での信頼や同国内における規模の大きさを感じさせる。

米GF、日本で売上高倍増狙う 車・モバイル向け受託製造を拡大 (2017/6/1 電機・電子部品・情報・通信1)

中国・成都では18年にFD―SOI(完全空乏型絶縁膜上シリコン)トランジスタの工場を新設する計画。

センサー単体に加え、データを収集しパソコンに表示するルーター、管理ソフトウエアを加えたシステム「YORI・SOI(ヨリ・ソイ)」としても商品化する。

申し込みはファクス(022・795・6729)または電子メール(soi.kouenkai@gmail.com)で。

二酸化ケイ素(SiO2)上にシリコン層が形成されたSOI基板上に歪みを加えた歪みSiGeを結晶成長させた構造。

シリコン酸化膜(BOX層)上に単結晶シリコン(SOI層)が形成されたSOIトランジスタや、バルクトランジスタを使って実証した。... その結果、従来は局所的な温度上昇は...

また完全空乏型絶縁膜上シリコン(FD―SOI)技術を適用した先端CMOSは「現在の回路線幅28ナノメートルから同14ナノメートル、さらに同10ナノメートルまで微細化を推し進める」...

広島大学が開発した絶縁膜上シリコン(SOI)・電界効果トランジスタ(FET)の回路設計用トランジスタモデルが、半導体などの国際標準化委員会「CMC」から標準品として認定...

従来モデルはチップ上に突起したカンチレバーにより力を検知する構造でレバーを固定する工程が必要なほか、素材の薄膜絶縁膜上シリコン(SOI)が限られるなど制約が多かった。

シリコンを使った材料であるシリコン・オン・インシュレーター(SOI)上に、ゲルマニウム量子ドットとシリコンの多層膜を形成し、不純物を添加して電流が外部から量子ドットの領域に注入できる構...

設計の最適化により、20マイクロメートルの絶縁膜上シリコン(SOI)素子の層内に形成したビーム(面持ち梁)の側面に、従来の金属ひずみ素子の約100倍の感度を持つピエゾ抵...

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